Institute of High Pressure Physics

W dniu 28 stycznia 2021 odbyło się całodniowe Sympozjum Sprawozdawcze z działalności naukowej Instytutu Wysokich Ciśnień PAN w 2020 r.

Kierownicy laboratoriów badawczych przedstawili wyniki działalności naukowej w roku 2020 z uwzględnieniem jakości i liczby publikacji naukowych. Ponadto, najciekawsze wyniki zostały zaprezentowane przez wybranych przedstawicieli laboratoriów.

Program Sympozjum zawierający linki do poszczególnych prezentacji

Paweł Kempisty z Laboratorium Krystalizacji NL-3 jest współautorem opublikowanego na początku roku artykułu opisującego postęp w modelowaniu epitaksji związków półprzewodnikowych. Praca ukazała się w Crystal Growth & Design, a jej autorami są: Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, wspomniany Paweł Kempisty, Kenji Shiraishi, Shugo Nitta oraz Laureat Nagrody Nobla z dziedziny Fizyki (2014), Hiroshi Amano.

Artykuł jest wynikiem współpracy dwóch wiodących japońskich uniwersytetów (Kyushu i Nagoya) oraz naszego Instytutu. Autorzy proponują model opisujący wzrost azotku galu metodą MOVPE. Model ten uwzględnia i łączy następujące procesy w technologii MOVPE: reakcje w fazie gazowej (1), reakcje zachodzące na powierzchni (2) oraz wbudowywanie w warstwę (3). Jako przykład pokazano bardzo istotną domieszkę azotku galu: węgiel, który nieintencjonalnie wbudowuje się w metodzie MOVPE.

Artykuł został wyróżniony i trafił na okładkę czasopisma.

Link do artykułu:

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.cgd.0c01564

Roman Hrytsak wraz z Kolegami z IWC PAN opublikowali w Computational Materials Science ciekawą pracę, w której zaproponowali mikroskopowy opis procesów przemieszczania się defektów punktowych w warstwowych strukturach półprzewodnikowych GaN/InN.

Z wykorzystaniem atomistycznego modelowania z pierwszych zasad zostały pokazane mechanizmy migracji (dyfuzji) defektów punktowych (VGa, VN, VIn) zachodzące w objętościowych strukturach azotku galu (GaN), azotku indu (InN) oraz na styku (interfejsie InN/GaN) tych dwóch materiałów. W artykule zostało również pokazane jak zmienia się wysokość bariery energetycznej na migrację w zależności od naprężenia studni kwantowej do podłoża (in-plane strain) oraz analiza migracji defektów w różnych kierunkach: wertykalnym [0001] oraz lateralnym [11-20].  

Link do artykułu