|
Friday, 11 September 2009 |
|
Praca w ramach studiów doktoranckich w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie
Temat pracy doktorskiej: Kinetic Monte Carlo and MBE growth Cel pracy: - Zaproponowanie modelu wzrostu azotków. W szczególności opracowanie modelu wzrostu heterostruktur opartych na materiałach AlN, GaN, InN hodowanych metodą MBE. Model ma być sformułowany w języku barier energetycznych.
- Napisanie programu modelującego wzrost materiałów określonych w punkcie (1) na wybranych płaszczyznach krystalograficznych o określonej orientacji. Program ma bazować na metodzie Kinetic Monte Carlo i ma być w nim zaimplementowany model wzrostu zaproponowany w punkcie (1).
- Wykonanie obliczeń korzystając z programu utworzonego w punkcie (2). W szczególności należy zbadać wpływ parametrów modelu zaproponowanego w punkcie (1) na morfologię powierzchni i front krystalizacji analizowanych heterostruktur. Otrzymane wyniki należy skonfrontować z danymi eksperymentalnymi. Rezultat analizy danych eksperymentalnych i numerycznych należy uwzględnić w usprawnionym modelu wzrostu.
- Napisanie szeregu artykułów opisujących model i opublikowanie ich w czasopismach o zasięgu międzynarodowym.
Wyżej wymienione cele będą realizowane w ramach studiów doktoranckich prowadzonych w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk ul. Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa. Praca ta ma zakończyć się obroną pracy doktorskiej. Kandydat powinien mieć ukończone studia magisterskie lub być studentem ostatniego roku na wydziale fizyki, matematyki lub dziedzin pokrewnych i wykazać się znajomością problemów na poziomie akademickim z następujących dziedzin: - Metod numerycznych w tym: rozwiązywanie równań różniczkowych cząstkowych metodą elementu skończonego i różnic skończonych oraz algebry liniowej.
- Programowania w języku C/C++ w systemie Windows oraz Linux/Unix.
- Podstawowych wiadomości z fizyki ciała stałego i wzrostu kryształów w tym wzrostu kryształów metoda MBE.
- Podstawowej znajomości metody Kinetic Monte Carlo.
Wyżej opisany projekt nawiązuje do prac eksperymentalnych związanych ze wzrostem heterostruktur i urządzeń optoelektronicznych (w szczególności zielonych diod laserowych) metodą Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy prowadzonych w laboratorium Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk kierowanym przez doc. dr hab. Czesława Skierbiszewskiego. Kandydat będzie ściśle współpracował z naukowcami z tego laboratorium, co umożliwi bezpośrednią weryfikację założeń zaproponowanych modeli numerycznych.
Zainteresowane osoby prosimy o przesłanie życiorysu na adres
This e-mail address is being protected from spam bots, you need JavaScript enabled to view it
|
|
Last Updated ( Friday, 11 September 2009 )
|