Created with WebWave CMS

czeslaw@unipress.waw.pl

E-MAIL

+48 22 8760351 - office

+48 22 8760324 - lab

TEL

Instytut Wysokich Ciśnień

Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN)

"UNIPRESS"

ul. Sokołowska 29/37

01-142 Warszawa

 

LABORATORIA MBE

al. Prymasa Tysiąclecia 98

01-424 Warszawa

 

Dojazd komunikacją miejską:

Majakowskiego - przystanek tramwajowy

Obozowa - przystanek autobusowy

ADRES

KONTAKT

Pełna lista publikacji TUTAJ

PUBLIKACJE

W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).

 

Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku

GALERIA

Aktualnie realizujemy następujące projekty:

  • TeamTech

    „Złącza tunelowe i ich zastosowanie dla optoelektroniki opartej o azotek galu”

  • N-side

    “Wykonanie podłoży polarnych z azotku galu o azotowej stronie powierzchni czynnej oraz określenie jej przydatności w epitaksji”

  • LIDER

    „Inżynieria pól elektrycznych oraz domieszkowania na typ p w heterostrukturach InGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową – rozwój zielonych diod azotkowych.”

  • SPRInG

    “Short Period Superlattices for Rational (In Ga)N”

 

Lista zrealizowanych projektów TUTAJ

PROJEKTY

Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN).

 

Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.

O NAS

Laboratorium MBE

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

O NAS

PROJEKTY

GALERIA

PUBLIKACJE

KONTAKT