Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".
Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.
W dniach 27-28.09.2021 odbyło się pierwsze spotkanie "kick-off meeting" międzynarodowego europejskiego projektu COST “European Network for Innovative and Advanced Epitaxy” - OPERA. Projekt współtworzą zespoły badawcze zajmujące się epitaksją z 33 krajów, w tym Polski. Badacze współpracujący w ramach COST zajmują się epitaksją różnych materiałów, od klasycznych półprzewodników, przez materiały tlenkowe aż po materiały dwuwymiarowe. Polskę w projekcie COST reprezenują dr hab. Wojciech Pacuski oraz dr inż. Marta Sawicka z naszego Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Więcej informacji o celach projektu i partnerach na stronie: https://www.cost.eu/actions/CA20116/.
Z przyjemnością informujemy że Rada Naukowa Instytutu Wysokich Ciśnień PAN na posiedzeniu zdalnym w dniu 25 maja 2021 r nadała dr Henrykowi Maciejowi Turskiemu stopień doktora habilitowanego w dziedzinie nauk fizycznych za rozprawę pt. Heterostruktury i urządzenia charakterystyczne dla azotowej polarności GaN otrzymane w technologii epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową. Rozprawa została przedłożona Radzie Doskonałości Naukowej 28 maja 2020 r. Rada Doskonałości Naukowej przekazała dokumentację rozprawy, na podstawie której Rada Naukowa wyraziła zgodę na przeprowadzenie postępowania habilitacyjnego 1 lipca 2020 r oraz zatwierdziła ostateczny skład komisji habilitacyjnej 13 października 2020 r. Komisja habilitacyjna na posiedzeniu zdalnym 23 marca 2021 r podjęła uchwałę stwierdzającą że rozprawa habilitacyjna dr Henryka Macieja Turskiego stanowi znaczny wkład w rozwój dyscypliny naukowej nauki fizyczne i wyraziła pozytywna opinie w sprawia nadania dr Henrykowi Maciejowi Turskiemu stopnia naukowego doktora habilitowanego w dziedzinie nauk ścisłych i przyrodniczych w dyscyplinie nauki fizyczne. Zgodnie z rekomendacją Komisji, Rada Naukowa IWC PAN na posiedzeniu zdalnym w dniu 25 maja 2021 r. w głosowaniu niejawnym, zatwierdziła uchwałę o nadaniu dr Henrykowi Maciejowi Turskiemu stopnia doktora habilitowanego nauk fizycznych. Serdecznie gratulujemy i życzymy wielu sukcesów w przyszłości Z dorobkiem naukowym oraz dokumentacją procedury habilitacyjnej można się zapoznać na stronie Instytutu
Z radością zawiadamiamy, że projekt naszej koleżanki dr inż. Marty Sawickiej znalazł się na pierwszym miejscu listy rankingowej w konkursie SMALL GRANT SCHEME, ogłoszonej 7.05.2021 przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
Projekt „Buried periodic Arrays of NANOchannels for single-frequency nitride lasers” będzie miał na celu wykorzystanie synergii kilku zaawansowanych technologii w celu otrzymania laserów opartych na GaN o jednomodowym widmie (ang. distributed feedback laser diodes - DFB LDs). Innowacyjność zaproponowanego podejścia polega na umieszczeniu siatki dyfrakcyjnej wewnątrz struktury. Schemat przyrządu prezentuje grafika poniżej (autor Mateusz Hajdel).
Mikołaj Żak wraz z kolegami opublikował w Physical Review Applied interesującą pracę dotyczącą azotkowych złącz tunelowych wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices. W pracy zaproponowano sposób wytwarzania domieszkowanych złącz tunelowych GaN:Mg/InGaN:Mg+/InGaN:Si+/GaN:Si o rekordowo niskim oporze szeregowym zachowując wysoką jakość wytwarzanych struktur. Wyniki eksperymentalne mierzonego prądu tunelowania zostały poparte obliczeniami w modelu k·p Kane’a z uwzględnieniem realistycznego rozkładu pól elektrycznych w strukturze złącza. Istotnym elementem w wytłumaczeniu zgodności modelu teoretycznego z wynikami eksperymentalnymi efektów tunelowania była analiza struktury pasma walencyjnego GaN i przyjęcie poprawnej masy efektywnej dla dziur biorących udział w tunelowaniu.
Skierbiszewski
Muzioł
Turski
Siekacz
Sawicka
Feduniewicz-Żmuda
Nowakowski-Szkudlarek
Wolny
Hajdel
Żak
Sławińska
Fiuczek
Chlipała
Bilska
Gołyga
Bharadwaj
Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:
„Złącza tunelowe i ich zastosowanie dla optoelektroniki opartej o azotek galu”
"Monolithic integration of superconductors and semiconductors on nitride platform”
"Inżynieria pól elektrycznych oraz domieszkowania na typ p w heterostrukturach InGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową – rozwój zielonych diod azotkowych.”
“Nitride based distributted feedback laser diodes”
"Rozwój wysokiej jakości InAlN - droga do laserów azotkowych wolnych od naprężeń."
"Polarity engineering in nitride heterostructures"
"Circumvention of piezoelectric fields in III-nitride heterostructures – a way towards solving the green gap problem"
"Nanoporous GaN – a new platform for realization of quantum structures"
"Wpływ wbudowanych pól piezoelektrycznych na sprawność azotkowych diod laserowych"
"Monolitycznie zintegrowany tranzystor bipolarny z LED w systemie azotków III grupy"
"'Buried periodic Arrays of NANOchannels for single-frequency nitride lasers"
Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ
Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:
W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).
Siedziba główna::
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa
Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa
komunikacja miejska:
PKP Koło - przystanek tramwajowy
PKP Koło - przystanek autobusowy
+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab
czeslaw@unipress.waw.pl