Wykład
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów.
Podstawy fizykochemiczne budowy
struktur krystalicznych o skali makro, mikro i NANO.
Rok akademicki 2009-2010
Program wykładu jest również dostępny na stronie ICM UW pod adresem:
http://www.icm.edu.pl/web/guest/edukacja
Stanisław Krukowski, Michał Leszczyński
IWC PAN, Sokołowska 29/37 01-142 Warszawa
Zbigniew Żytkiewicz
IF PAN, Al. Lotników 32-46 02-668 Warszawa
Podstawa do obliczeń czasu:
teoria oraz modelowanie - I
semestr = 15 wykładów po 2 godziny
metody doświadczalne i charakteryzacja - II semestr = 15 wykładów po 2
godziny
Wykład odbywać się będzie we wtorki, od 06.10.2009, o godz. 9.15 w Interdyscyplinarnym
Centrum Modelowania UW w sali 3075 w budynku Wydziału Geologii UW, Al. Żwirki i
Wigury 93 (http://www.icm.edu.pl/o_icm/lokalizacja.php
). Wyjątki w postaci zmienionej pory wykładu są zaznaczone na czerwono.
Rozwój technik
informatycznych, min. stworzenie nowych przyrządów elektronicznych o rozmiarach
rzędu nanometrów, powstawanie nowych technik diagnostyki molekularnej (np. dla
potrzeb medycyny) wymaga opanowania podstaw metod wytwarzania nowych materiałów
i struktur. Nowym aspektem tego kursu będzie ujęcie problemów wytwarzania oraz
własności nano-struktur i nano-materiałów, tworzących wstęp do nanotechnologii. W szczególności więc dotyczy
to podstawowych metod wzrostu kryształów, zarówno objętościowych, w skali
makro, jak i struktur kwantowych o wymiarach mikro i nano. W chwili obecnej
kursy fizyki, chemii czy inżynierii materiałowej w Polsce, zarówno w Warszawie,
jak i w innych miastach, nie obejmują wykładów z dziedziny podstaw wzrostu
kryształów. Proponowany poniżej program zawiera kurs podstaw wzrostu kryształów
(zwłaszcza półprzewodników), zarówno w ujęciu teoretycznym, jak i przegląd
głównych technik wzrostu oraz metod charakteryzacji. Zakładamy, że kurs ten nie
będzie wyczerpującym opisem tematu. Będzie natomiast dawał wystarczające
podstawy dla zrozumienia dziedziny, stanowiąc jednocześnie dobry punkt wyjścia
dla dalszej samodzielnej nauki. Kurs jest planowany dla doktorantów i młodych
pracowników naukowych. Może też być pożyteczny dla studentów IV i V roku
studiów pod warunkiem jednak opanowania podstaw mechaniki kwantowej, mechaniki
statystycznej i fizyki ciała stałego na poziomie uniwersyteckim. Na zakończenie
rocznego cyklu wykładów przewidujemy wizytę studentów w laboratoriach wzrostu
kryształów Instytutu Fizyki PAN i Instytutu Wysokich Ciśnień PAN w Warszawie.
Pozwoli to na zapoznanie zainteresowanych studentów z istniejącą bazą
eksperymentalną i ze szczegółami prowadzonych prac badawczych.
Kurs jest adresowany
do doktorantów takich instytutów, jak: Instytut Technologii Materiałów
Elektronicznych, Instytut Fizyki PAN, Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Instytut
Technologii Elektronowej, oraz studentów i doktorantów Wydziałów Fizyki i
Chemii Uniwersytetu Warszawskiego, Wydziału Matematyczno-Przyrodniczego Uniwersytetu
Kardynała Stefana Wyszyńskiego oraz Wydziałów Inżynierii
Materiałowej, Fizyki oraz Chemii Politechniki Warszawskiej.
- Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników elementarnych: diament. krzem, german
- Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników złożonych: GaAs, InP, GaN, kryształy II-VI
- Wzrost warstw epitaksjalnych i zastosowania: elektronika, optoelektronika
- Perspektywy nowych zastosowań
Wykład w dniu
20.10.2009 r – nie odbędzie się.
- podstawy równowagi wielofazowej: temperatura, ciśnienie, potencjał chemiczny
- równowaga: faza gazowa – faza stała
- równowaga faza ciekła – faza gazowa
- równowaga układów wieloskładnikowych
- równowagowy kształt powierzchni
- równowagowa struktura powierzchni krystalicznych
- powierzchnie kryształów rzeczywistych: relaksacja i rekonstrukcja
- zjawiska elektryczne na powierzchni – stany i pola powierzchniowe
- metody badań atomowej struktury powierzchni
-
- stany nierównowagi – pojecie lokalnej równowagi
- mikroskopowe ujecie kinetyki procesów chemicznych – pojęcie równowagi cząstkowej
- procesy dyfuzji
- przesycenie i przechłodzenie
- nukleacja homogeniczna i heterogeniczna - 2d oraz 3d.
- procesy adsorpcji i desorpcji
- procesy atomowe na powierzchni – dyfuzja powierzchniowa
- wzrost na powierzchniach szorstkich
- wzrost kontrolowany przez dwuwymiarowa nukleację
- wzrost kontrolowany przez dyslokacje śrubowe
- wzrost kontrolowany przez ruch stopni
- kinetyka stopni
- konwekcja
- dyfuzja
- przewodnictwo cieplne
Wykład odbędzie się wyjątkowo w piątek o godz. 11.00 w sali 3089.
- włączanie defektów punktowych
- ujawnianie defektów punktowych
- naprężenia
- tworzenie wytrąceń obcej fazy
Wykład odbędzie się wyjątkowo w piątek o godz. 13.00 w Sali 3089.
- naprężenia i tworzenie dyslokacji niedopasowania
- ujawnianie dyslokacji
- defekty płaskie i objętościowe
Wykład odbędzie się wyjątkowo o godz. 14.00 w Sali 3089.
- teorie opisu kształtu
- morfologiczna stabilność – typy niestabilności
- ewolucja kształtu podczas wzrostu
- związek niestabilności morfologicznych z mikroskopowymi zjawiskami podczas wzrostu
- Metoda skończonej różnicy - FDM
- Metoda skończonej objętości - FVM
- Metoda elementu skończonego - FEM
- Metody rozwiązywania równań nieliniowych
- Równania transportu
- Równania sprężystości
- Metoda Monte Carlo – obraz sieciowy
- Metoda dynamiki molekularnej
- Metoda funkcjonału gęstości - DFT
Wykład odbywać się będzie we wtorki, od 06.10.2009, o godz. 9.15 w
Interdyscyplinarnym Centrum Modelowania UW, w sali 3089 w budynku Wydziału
Geologii UW, Al. Żwirki i Wigury 93 (http://www.icm.edu.pl/o_icm/lokalizacja.php
). Wyjątki, w postaci zmienionej pory wykładu, podobnie do I semestru, są
zaznaczone na czerwono.
1. Wstęp – mechanizmy transportu masy i ciepła; Z.R. Żytkiewicz (16 luty 2010)
2. Wzrost kryształów objętościowych z roztopu; T. Słupiński (23 luty 2010)
3. Metody wzrostu objętościowego z roztworu; T. Słupiński (2 marzec 2010)
4. Wzrost objętościowy z fazy gazowej; K. Grasza (9 marzec 2010)
5. Epitaksja - wstęp; Z.R. Żytkiewicz (16 marzec 2010)
6. Wzrost epitaksjalny z fazy ciekłej; Z.R. Żytkiewicz (23 marzec 2010)
7. Epitaksja z fazy gazowej; M. Leszczyński (30 marzec 2010)
Wykład w dniu 6
kwietnia 2010 r – nie odbędzie się – wakacje wiosenne.
Uwaga – kolejność
wykładów Z.R. Żytkiewicza i B. Kowalskiego została zamieniona z powodu
Konferencji NANOBIOM. Za zmianę przepraszamy.
8. Badania i charakteryzacja powierzchni; B. Kowalski (13 kwiecień 2010)
9. Epitaksja metodą wiązek molekularnych; Z.R. Żytkiewicz (20 kwiecień 2010)
10. Mikroskopia elektronowa; S. Kret (27 kwiecień 2010)
11. Rentgenowskie badania strukturalne; M. Leszczyński (4 maja 2010)
12. Transport w 2-d oraz 3-d strukturach półprzewodnikowych – własności elektryczne; J. Majewski (11 maja 2010)
13. Lateralny wzrost epitaksjalny, Z.R. Żytkiewicz (18 maja 2010)
14. Nanostruktury krystaliczne; J.
Szczytko (25 maja 2010)
15. Badania własności optycznych; P. Perlin (1 czerwca 2010)
Uwaga – wykład
Doroty Pawlak został przesuniety na 15 czerwca 2010.
16. Metamateriały; D. Pawlak (15 czerwca 2010)