Instytut Wysokich Ciśnień

Miło nam poinformować, że nasz kolega z laboratorium NL-12, Dr Piotr Kruszewski, będzie reprezentował nasz Instytut na konferencji naukowej ICDS-33 (The 33rd International Conference on Defects in Semiconductors), która odbędzie się w dniach 14-19 września 2025 r. w chińskim Szanghaju. Należy podkreślić, iż konferencja ta jest jedną z najbardziej prestiżowych konferencji międzynarodowych poświęconych badaniom defektów w półprzewodnikach a pierwsza konferencja tego cyklu została zapoczątkowana w roku 1959 w Gatlinburg, Tennessee w USA.

Znaczącym wyróżnieniem dla naszego Instytutu jest zatem fakt, iż Dr Piotr Kruszewski wygłosi w Szanghaju dwie prezentacje ustne z czego pierwsza poświęcona jest badaniom defektów w warstwach Al_xGa_1-xN i jest zatytułowana „On the origin of the electrically active defects E1 and E3 in GaN and dilute Al_xGa_1-xN films grown on Ammono-GaN substrates”. Druga prezentowana praca poświęcona jest tematowi defektów w tlenku galu (Ga₂O₃) i wpływowi pola elektrycznego na właściwości defektu Ec-0.18 eV w kryształach wzrastanych metodą Czochralskiego. Pełen tytuł referatu to „The electric field influence on E_C-0.18 eV electron trap level in (100)-oriented β-Ga₂O₃ crystals grown by the Czochralski method”.

Więcej informacji na temat samej konferencji a także jej szczegółowy program znaleźć można na stronie https://www.icds2025.org/