Instytut Wysokich Ciśnień

W najnowszej pracy "Deep-level point defects at Ga sites in dilute Al_xGa_1−xN alloys" nasz kolega, dr Piotr Kruszewski, wraz ze współpracownikami, przedstawił nowe dowody wskazujące na to, że pułapka elektronowa E1 w warstwach Al_xGa_1−xN, a prawdopodobnie także w GaN, jest związana z defektem punktowym zlokalizowanym w podsieci galowej, a nie azotowej, jak powszechnie sądzono. Ponadto, na podstawie obliczeń teoretycznych (Heyd-Scuseria-Ernzerhof - HSE), zaproponowano, że donorem odpowiedzialnym za poziom elektronowy pułapki E1 jest węgiel albo molibden, czyli C_Ga(0/+) lub Mo_Ga(0/+).

Publikacja została wyróżniona przez edytora Applied Physics Letters jako Editor's Pick. Link do pracy: https://doi.org/10.1063/5.0272389