Instytut Wysokich Ciśnień

Naukowcy z naszego Instytutu zaprezentują prezentację przewodnią (keynote prezentation), pięć referatów zaproszonych i jedną prezentację ustną na SPIE Photonics West 2026, największej na świecie konferencji dotyczącej technologii fotonicznych.

Konferencja SPIE Photonics West 2026 będzie miała miejsce w dniach 19-22 stycznia 2026 w San Francisco (USA). Program równoległych konferencji: Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XXXIV tutaj, Gallium Nitride Materials and Devices XXI tutaj, a program konferencji Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXX pod linkiem, a konferencji Quantum Sensing and Nano Electronics and Photonics XXII program tutaj.

Piotr Perlin, Anna Kafar, Lucja Marona, Szymon Grzanka Challenges, successes, and future directions of nitride-based laser diodes (Keynote Presentation)

Izabella Grzegory Thermodynamics and crystallization of hBN at high N2 pressure: comparison to High Nitrogen Pressure Solution growth of GaN (Invited Paper)

Henryk Turski Using both faces of bulk GaN substrates for functional devices (Invited Paper)

Henryk Turski Electrochemical etching for seamless micro-transfer printing of InGaN LEDs (Invited Paper)

Anna Kafar, Adam Brejnak, Szymon Stanczyk, Krzysztof Gibasiewicz, Jacek Kacperski, Anna Nowakowska-Szkudlarek, Łucja Marona, Szymon Grzanka, Piotr Perlin (Al,In)GaN waveguides with low losses for blue light photonic integrated circuits (Invited Paper)

Agata Bojarska-Cieslinska, Łucja Marona, Szymon Grzanka, Ewa Grzanka, Piotr Perlin Optimizing carrier distribution in InGaN/GaN multi-quantum well active regions (Invited Paper)

Łucja Marona, Szymon Grzanka, Agata Bojarska Cieślińska, Piotr Perlin High-power single-mode greenl lasers enabled by InGaN-Based VECSELs (Oral presentation)