Instytut Wysokich Ciśnień

Dear Colleagues,

We are pleased to invite you to the next IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The talk will be held in a remote mode – through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ).

The talk is scheduled on Friday 19.09.2025 at 10:30 CEST.

Speaker: Dr. Costanza Lucia Manganelli (IHP - Leibniz-Institut für Innovative Microelectronik, Frankfurt (Oder), Germany)

Title: Strain engineering in CMOS micro-electronics. How to tailor.

Abstract: Link

Sincerely,

Tadeusz Suski
Piotr Perlin
Anna Kafar

The International Workshop on Processing and Applications of Superconducting (RE)BCO Materials (PASREG 2025) is scheduled to take place in Tokyo, Japan, from November 28 to 30, 2025. The PASREG 2025 workshop will emphasize key aspects of the fabrication, characterization, and magnetization techniques of both high-temperature and conventional superconductor bulks. Additionally, the workshop will explore innovative applications of superconductor bulks and discuss recent developments in applied superconductivity.

In this international workshop, Prof. Shiv J. Singh from our institute has been invited to deliver a talk entitled “Superconducting properties of bulk Sm-based oxypnictide processed by high gas pressure, cubic anvil, and spark plasma sintering techniques.” This lecture will provide a brief overview of the current findings from Prof. Singh's research team on high-T_c iron-based superconducting bulks, which have been processed using both conventional and various high-pressure techniques.

More details about this workshop can be found here: https://smartconf.jp/content/pasreg2025/program

Would you like to know why the conductivity in AlN, AlGaN and GaN sometimes remains limited despite intentional doping? And how to find the cause of electrical compensation distinguishing between acceptor impurities, native vacancies, and amphoteric donors?

During the next Unipress Thursday Seminar, Dr. Igor Prozheev from the University of Helsinki, Finland will present advanced experimental and theoretical methods, such as ion implantation and positron annihilation combined with DFT calculations, to reveal how these point defects impact the performance of opto- and power electronic devices. The talk tile is „The Alchemy of Nitrides: from Experiment to Theory”.

Join us live in the Institute of High Pressure Physics, al. Prymasa Tysiąclecia 98, Warsaw, seminar room on II floor, or online via Zoom platform on Thursday, Spetember 25, 2025 at 3:00 pm. To get the link to Zoom meeting, please contact us at dyrekcja@unipress.waw.pl

Abstract of the talk is here.

Domieszkowanie azotku galu (GaN) berylem od dawna budzi zainteresowanie ze względu na potencjalne zastosowania w elektronice i optoelektronice. We wcześniejszych pracach  sugerowano, że akceptor Be charakteryzuje się niższą energią jonizacji niż powszechnie stosowany magnez (Mg). Jednak dotychczasowe próby prowadziły głównie do otrzymania materiałów półizolujących, co wiązano z tzw. autokompensacją – skłonnością atomów Be do zajmowania, oprócz pozycji podstawieniowych w miejsce atomów Galu i dających stany akceptorowe, pozycji międzywęzłowych i tworzenia defektów donorowych.

Najnowsze prace wskazują, że domieszka Be może mieć złożony charakter dualny: występować jako akceptor płytki oraz głębszy akceptor polaronowy. Wyniki badań zespołu z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN, przeprowadzonych we współpracy z Virginia Commonwealth University oraz University at Albany (USA), opublikowane w Journal of Applied Physics, potwierdzają tę hipotezę.

Pomiary efektu Halla dla warstw GaN:Be wykazały przewodnictwo typu p, nieprzekompensowane donorami, przy energii aktywacji akceptora ~0.40 eV, która wskazuje na głęboki, polaronowy charakter akceptora. Wyniki te dowodzą, że skuteczne domieszkowanie GaN berylem stanowi większe wyzwanie, niż wcześniej zakładano.

Badania sfinansowano z grantu NCN nr 2020/37/B/ST5/03746.

Szczegóły można znaleźć w publikacji: M. Zając i in., Journal of Applied Physics 138, 095705 (2025), https://doi.org/10.1063/5.0283055.

Obserwowana eksperymentalnie zależność pT^-3/2 w funkcji odwrotności temperatury dla warstw GaN:Be o różnej zawartości Be. Linie ciągłe przedstawiają dopasowania wyznaczające głęboki poziom akceptorowy akceptora Be dla T=0.