Instytut Wysokich Ciśnień

Dear Colleagues,

We are pleased to invite you to the next IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The talk will be held in a hybrid mode – at the seminar room in New Technologies building, Al. Prymasa Tysiąclecia 98, and through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ).

The talk is scheduled on Thursday 16.10.2025 at 15:00 CEST.

Speaker: Chandrashekhar Savant (Cornell University, Ithaca, USA)

Title: Epitaxy of Novel High-K, Ferroelectric Nitrides, and Integration on GaN HEMTs

Abstract: Link

Sincerely,

Tadeusz Suski
Piotr Perlin
Anna Kafar

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej (FNP) przyznała Instytutowi Wysokich Ciśnień PAN finansowanie na rozwój Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” w ramach działania Międzynarodowe Agendy Badawcze (MAB FENG). Projekt koncentruje się na badaniach przemysłowych i pracach rozwojowych - finansowanie nie obejmuje badań podstawowych.

Struktura projektu
Projekt integruje pełne spektrum działań „od materiału do konkretnego przyrządu”, w jednym, dedykowanym centrum. Kierownikiem MAB jest prof. dr hab. inż. Michał Boćkowski (IWC PAN), który jednocześnie poprowadzi WP3. Liderami pozostałych pakietów prac są: dr inż. Robert Kucharski (WP1), dr inż. Tomasz Sochacki (WP2) oraz dr hab. Paweł Kempisty, prof. IWC PAN (WP4).

Projekt obejmuje cztery, silnie zintegrowane obszary badawcze, tworzące kompletny łańcuch wartości - od materiału do urządzenia i algorytmów projektowania:

• WP1: Krystalizacja amonotermalna GaN i wytwarzanie podłoży o rekordowej jakości strukturalnej (m.in. docelowo 4-calowe podłoża GaN).
• WP2: Projektowanie i wytwarzanie diod mocy na podłożach GaN (p-n, p-i-n, Schottky/JBS) z naciskiem na niskie straty i wysokie napięcia przebicia.
• WP3: GaN domieszkowany jonami ziem rzadkich jako platforma dla źródeł pojedynczych fotonów i sensorów kwantowych, również z wykorzystaniem autorskiej technologii implantacji + wygrzewania wysokociśnieniowego (I/I+UHPA).
• WP4: Informatyka materiałowa — wykorzystanie AI/ML do optymalizacji krystalizacji, epitaksji oraz projektowania i diagnostyki przyrządów.

Strategiczne partnerstwa i współpraca krajowa 
Silnym elementem „GaN-Unipress” jest współpraca z Uniwersytetem Warszawskim (UW) i Politechniką Warszawską (PW). WP3 będzie rozwijany we współpracy z Zakładem Fizyki Ciała Stałego, Instytutu Fizyki Doświadczalnej UW, a WP4 uzyska wsparcie Zakładu Sztucznej Inteligencji i Metod Obliczeniowych Wydziału Matematyki i Nauk Informacyjnych PW. Ponadto strategicznym partnerem międzynarodowym projektu jest CNR-IMM we Włoszech (Consiglio Nazionale delle Ricerche – Istituto per la Microelettronica e Microsistemi), kierowany m.in. przez zespół dr. Fabrizio Roccaforte.

Dlaczego to ważne?
Połączenie unikalnych kompetencji IWC PAN w fizyce i technologii azotków z krystalizacją GaN, zaawansowaną epitaksją i narzędziami AI/ML daje Polsce wyjątkową pozycję do rozwoju energoelektroniki (wydajna konwersja energii) i technologii kwantowych (komunikacja i sensory), z realnym potencjałem komercjalizacji. Projekt rozwija Centrum „GaN-Unipress” jako rozpoznawalny, międzynarodowy ośrodek doskonałości.

Więcej o programie MAB i wynikach naboru 2/2025 na stronie FNP.

Z przyjemnością ogłaszamy 10. Zimowe Warsztaty Kalatówki – wyjątkowe spotkanie naukowe poświęcone fizyce i technologii półprzewodników azotkowych grupy III, w tym diodom laserowym na bazie InGaN, diodom LED, emiterom kwantowym i nowatorskim urządzeniom optoelektronicznym. Warsztaty odbędą się w dniach 15-20 marca 2026 r.

Warsztaty kontynuują długoletnią tradycję nieformalnych i inspirujących dyskusji odbywających się w pięknej scenerii Tatr. Naukowcy są zaproszeni do dzielenia się najnowszymi wynikami badań, wymiany pomysłów i zacieśniania współpracy w swobodnej atmosferze hotelu górskiego Kalatówki. Podobnie jak w poprzednich edycjach warsztatów, udział w nich jest możliwy wyłącznie na zaproszenie.

Tematyka obejmuje:

• Wzrost epitaksjalny i przetwarzanie struktur III-N
• Charakterystyka optyczna i elektryczna
• Diody laserowe, mikro-diody LED i integracja fotoniczna
• Urządzenia kwantowe i defekty w azotkach
• Nowatorskie zastosowania w komunikacji, wykrywaniu i metrologii

Dnia 10 października 2025 r. (piątek) o godz. 12:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż.Julii Sławińskiej.

Temat rozprawy: Ion implanted (In,Ga)N micro-light-emitting diodes with tunnel junction

Pełna treść zawiadomienia

Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN

Izotropia sprężysta to zjawisko, w którym materiał reaguje jednorodnie na naprężenie, niezależnie od jego kierunku. W przypadku kryształów sześciennych (materiałów o strukturze kubicznej), które posiadają wyraźne kierunki krystalograficzne, stanowi to niezwykły przejaw mechaniki kwantowej w obiektach makroskopowych. Takiego zachowania kryształu nie da się wyjaśnić w ramach fizyki klasycznej. Zjawisko to jest ściśle związane z równoważeniem sił wewnętrznych wynikających z oddziaływań Coulomba, odpychania Pauliego oraz nakładania się pasm pod wpływem naprężenia na kryształ.

W niedawno opublikowanej pracy C. Sobczak, P. Kwasniak, P. Strak, M. Muzyk, S. Krukowski, "Elastic Anisotropy in BCC Ti-X Alloys (X = V, Nb, Ta) Determined from First Principles" opublikowanej w Materials, 2025, 18(18), 4294 nasz doktorant Cyprian Sobczak opisał anizotropię kryształów stopów tytanu. Praca powstała we współpracy grupy teoretyków z naszego Instytutu i z Uniwersytetu Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie.

Rezultatem pracy jest identyfikacja nowego stopu tytanu z niobem o zawartości 53% niobu, Ti-53Nb, wykazującego izotropię sprężystą. Obliczenia pokazały też, że w przypadku stopów tytanu z tantalem, Ti-Ta, zjawisko to nie może wystąpić w zakresie stabilności mechanicznej tych stopów. Publikacja zawiera podsumowanie głównych trendów wykazywanych przez stałe sprężystości, moduł Younga i moduł sprężystości objętościowej omawianych stopów na bazie Ti, w oparciu o metody ab initio. Więcej szczegółów w publikacji.

Rysunek. Porównanie trendów obserwowanych w stopach Ti-X (X = V, Nb, Ta, Mo): (a) stała sprężystości C11, (b) stała sprężystości C12, (c) stała sprężystości C44, (d) C′ = (C11 − C12)/2, (e) moduł sprężystości objętościowej B i (f) moduł Younga E, wyznaczony metodą PBE.