

- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Wydarzenia
Zrób doktorat z fizyki!!!
|
|
Więcej... |
Publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr. inż. Mikołaja Chlipały![]() Dnia 2 września 2025 r. (wtorek) o godz. 10:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr. inż. Mikołaja Chlipały. Temat rozprawy: „Harnessing built-in fields in group III-nitride light emitters grown by molecular beam epitaxy” Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN
Dr inż Artur Lachowski otrzymał grant NCN SONATINA![]() Z dumą zawiadamiamy, że w rozstrzygniętym przez Narodowe Centrum Nauki (NCN) konkursie SONATINA 9 finansowanie otrzymał projekt dr inż. Artura Lachowskiego z naszego Instytutu. Dr inż. Artur Lachowski w ramach projektu "Optymalizacja wzrostu epitaksjalnego azotku niobu do zastosowań w elektronice nadprzewodzącej" odbędzie sześciomiesięczny staż naukowy w Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) w Berlinnie w Niemczech. Granty SONATINA to szansa dla osób ze stopniem doktora, które chciałyby rozwijać swoją karierę naukową i zdobyć doświadczenie w roli kierownika projektu. Więcej o projektach SONATNA i pełna lista rankingowa tutaj, a streszczenie projektu pod linkiem. |
Publikacja w Communications Materials o złączach Josephsona wytworzonych metodą MBE![]() Złącza Josephsona stanowią istotny element komputerów kwantowych. Badacze z Laboratorium Epitaksji MBE opublikowali pracę w Nature Communications Materials pokazującą odkrycia o istotnym znaczeniu dla technologii ich wytwarzania. Zaprezentowane zostało nowe podejście do wzrostu warstw nadprzewodzącego azotku niobu (NbN) na podłożach GaN z wykorzystaniem techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową (PAMBE) oraz indu jako surfaktanta. Zastosowanie indu podczas epitaksji umożliwiło uzyskanie cienkich warstw NbN o jakości odpowiedniej do zastosowań w złączach Josephsona. W pracy zademonstrowano pierwsze na świecie złącze Josephsona NbN/InAlN/NbN otrzymane metodą MBE. Złącza osiągnęły gęstość prądu krytycznego na poziomie 1 kA/cm². Praca ta pokazuje, że technika MBE może zostać w pełni wykorzystana do integracji NbN z azotkami grupy III, co otwiera drogę do rozwoju nowego typu urządzeń. Pełny artykuł A. Lachowski et al. NbN-based Josephson junctions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy Commun Mater 6, 169 (2025) dostępny jest pod linkiem: https://www.nature.com/articles/s43246-025-00891-3 Wizyta dr inż. Anny Kafar w Joined Research Centre Ispra![]() Z przyjemnością informujemy, że dr inż. Anna Kafar z naszego Instytutu została zaproszona do udziału w wizycie Młodych Polskich Naukowców w Joined Research Centre Ispra (JRC Ispra) we Włoszech, która odbyła się w dniach 24–26 czerwca 2025 r. Ośrodek JCR Ispra to trzeci co do wielkości ośrodek naukowy Komisji Europejskiej, założony w 1960 roku jako Nuclear Joint Research Centre. Obecnie odgrywa istotną rolę we wspieraniu polityki Unii Europejskiej poprzez badania naukowe w takich obszarach jak zrównoważony transport, przestrzeń kosmiczna, bezpieczeństwo i zmiany klimatu. Wizyta została zorganizowana w ramach inicjatyw związanych z niedawno zakończoną Polską Prezydencją w Radzie Unii Europejskiej. Podczas spotkania, grupa dziesięciu młodych naukowców z Polski miała okazję zapoznać się z historią Centrum, zrozumieć jego funkcjonowanie oraz poznać różne możliwości współpracy naukowej. Kampus JRC w Ispra to wyjątkowe środowisko badawcze, charakteryzujące się szerokim zakresem prowadzonych badań oraz najwyższej klasy infrastrukturą naukową. Szczególne podziękowania kierujemy do Isabelli Cerutti za poświęcony czas podczas indywidualnego spotkania (job shadowing). Więcej zdjęć z wizyty młodych polskich naukowców w Joint Research Centre Ispra (JRC Ispra) w link poniżej. |
Adresy |