Instytut Wysokich Ciśnień

Czy można stopić GaN jak inne półprzewodniki: krzem lub GaAs? Jaka temperatura i ciśnienie są potrzebne? Fizycy-teoretycy z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN wykonali ważny krok w kierunku rozwiązania tego fundamentalnego problemu. Wyniki swoich obliczeń opublikowali niedawno w czasopiśmie Chemistry of Materials (Impact Factor 10,5) J. Piechota, S. Krukowski, B. Sadovyi, P. Sadovyi, S. Porowski i I. Grzegory w artykule pt. „Melting versus Decomposition of GaN: Ab Initio Molecular Dynamics Study and Comparison to Experimental Data” Chem. Mater. 2023, 35, 18, 7694–7707 doi: 10.1021/acs.chemmater.3c01477.

Autorzy określili warunki, w jakich tworzą się cząsteczki N₂, świadczące o rozkładzie GaN, w przeciwieństwie do wyższych ciśnień >15GPa, gdzie nawet w temperaturze 4000K cząsteczek N₂ nie znaleziono, co wskazuje na możliwość stopienia GaN. W pracy pokazano również, że wyniki wcześniejszych prac eksperymentalnych znajdują potwierdzenie w obliczeniach teoretycznych, co dobrze uzasadnia stosowanie wybranej metody do modelowania i projektowania trudnych eksperymentów w celu wyznaczenia krzywej topnienia GaN.

Dear Ladies and Gentlemen,

We are pleased to invite you to the IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The next presentation will be held in a hybrid mode – at the New Technologies seminar room, Al. Prymasa Tysiąclecia 98, and through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ).

The next seminar is scheduled on Monday 09.10.2023 at 14:00.

Speaker: Natalia Fiuczek (IHPP PAS, Laboratory of Nitride Semiconductor Physics)

Title: Electrochemical etching of p-type GaN

Abstract: link

Sincerely,

Tadeusz Suski
Piotr Perlin
Anna Kafar

Materials for energy harvesting are recently intensively studied due to the increasing need to substitute fossil fuels. They enable reusing of waste energy directly gained from the environment and convert it to electricity. One of the promising candidates for thermogenerators is Al-doped ZnO (AZO). Thermoelectric properties of this material can be tuned not only with Al doping level but also by its structure.

More on this subject will be presented by Prof. Paolo Mele from College of Engineering, Shibaura Institute of Technology (Japan) at the coming UNIPRESS Seminar on Wednesday October 18, 2023 at 14:00. We invite you to his talk entitled „Nanoengineered Al-doped ZnO thin films for thermoelectric applications”.

The seminar will be held in hybrid mode – in person at the Institute of High Pressure Physics PAS at Prymasa Tysiąclecia 98 (seminar room, second floor), and on-line through Zoom platform.

Dr hab. inż. Julita Smalc-Koziorowska z Laboratorium Charakteryzacji Półprzewodników wygłosi w przyszłym tygodniu referat zaproszony na międzynarodowej konferencji E-MRS Fall Meeting. Temat prezentacji to „The role of metal vacancies in thermal degradation of InGaN” i jest on częścią Symposium U "Defect-induced effects in low-dimensional and novel materials" w dniu 18 września 2023.

Jesienne spotkanie European Materials Research Society (E-MRS) odbędzie się w dniach 18-21 września 2023 na kampusie głównym Politechniki Warszawskiej (Polska) i będzie składać się z 24 równoległych sympozjów z zaproszonymi prelegentami, prezentacji ustnych i plakatowych, uzupełnionych jedną sesją plenarną, aby zapewnić międzynarodowe forum do dyskusji na temat najnowszych postępów w dziedzinie inżynierii materiałowej.