Dear Ladies and Gentlemen,

We are pleased to invite you to the IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The next presentation will be held in a hybrid mode – at the New Technologies seminar room, Al. Prymasa Tysiąclecia 98, and through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ).

The next seminar is scheduled on Monday 29.05.2023 at 13:00.

Speaker: dr inż. Joanna Moneta (IHPP PAS, NL-12)

Title: Peculiarities of the strain relaxation in InGaN layers

Abstract:

The idea of using relaxed InGaN layers as pseudo-substrates for the growth of InGaN-based devices has emerged in the last years. While most of approaches of gaining relaxed InGaN are based on the elastically relaxed layers obtained by preparation of compliant layer (e.g., porous GaN) and subsequent patterning, in our attempt we focus on InGaN layers relaxed plastically by the introduction of misfit dislocations. An understanding of the dislocation formation process which allows prediction and control of the properties of relaxed InGaN layers is essential for achieving good quality InGaN/GaN templates.
InGaN layers with indium content close to 20% deposited on various types of (0001)-GaN substrates were studied. The growth was carried out by either Molecular Beam Epitaxy (MBE) or Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE). Structural analysis was done by means of transmission electron microscopy, cathodoluminescence imaging, traditional X-ray diffractometry and full-field X-ray diffraction microscopy.
The seminar will discuss the mechanisms of misfit dislocations nucleation and glide and the influence of GaN-substrate misorientation on the strain relaxation process. The impact on the structural properties of InGaN/GaN templates will be addressed.

Sincerely,

Tadeusz Suski
Piotr Perlin
Anna Kafar

Narodowe Centrum Nauki ogłosiło wczoraj wyniki konkursów OPUS 24 i SONATA 18. Gratulujemy laureatom, a szczególnie prof. Michałowi Leszczyńskiemu z naszego Instytutu, który otrzymał grant OPUS „Mechanizmy dyfuzji Al, Ga, In w trójwymiarowych strukturach kwantowych (AlGaIn)N”. Więcej informacji na stronach NCN.

Streszczenie popularnonaukowe projektu dostępne pod linkiem

Instytut Wysokich Ciśnień PAN dołączył do Polskiej Platformy Technologicznej Fotoniki (PPTF) - związku pracodawców, który zrzesza polskich przedsiębiorców, jednostki naukowe, administracji rządowej i samorządowej, a także organizacje pozarządowe mające na celu zwiększenie innowacyjności polskiego przemysłu fotonicznego.

IWC PAN jest liderem w dziedzinie krystalizacji azotku galu (GaN) i produkcji wysokiej jakości podłoży GaN, które są podstawą dla laserów półprzewodnikowych i elektroniki mocy. Od lat rozwijamy technologie epitaksjalne i fizykę przyrządów opartych na GaN. Nasze laboratoria krystalizacji, badań mikrostruktury i właściwości optycznych i elektrycznych są kluczowym zasobem na Mapie Polskiej Infrastruktury Badawczej. Kształcimy też młodych ludzi w dziedzinie technologii fotonicznych.

W ramach PPTF będziemy współpracować na rzecz rozwoju krajowej branży fotoniki i mikroelektroniki poprzez opracowywanie nowych technologii i wyrobów optoelektronicznych, rozwój kadr oraz coraz szersze wykorzystanie technologii fotonicznych w Polsce.

New lecture on crystal growth theory and application of machine learning for advanced modeling of crystal growth processes of semiconductor bulk crystals and epitaxial layers will be given within the scope of the physics courses in spring semester of Warsaw4PhD School.

The 8-lecture course will be given on-line by dr Akira KUSABA from Kyushu University. The first lecture will be given on April 18th 2023 at 10.00 am.

Visit the Warsaw4PhD webpage to find out more about the scope of the new course and get the Zoom meeting link.