Instytut Wysokich Ciśnień

Abstract submission for DRIP21 – the 21st International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors has been extended to March 16, 2026.

DRIP21 conference will take place in Warsaw, Poland, from 30 August to 3 September 2026 and it is a great opportunity to meet, listen to, and discuss with top experts in the field of defects in classical and ultra-wide bandgap semiconductors, perovskites, oxides, 2D materials, and novel materials.

The conference is organized by the Institute of High Pressure Physics PAS and Institute of Physics PAS and is part of a long-standing, internationally recognized series of scientific meetings devoted to the physics of defects in semiconductor materials.

The conference proceedings will be published in Journal of Electronic Materials (IF = 2.5).

More information is available at https://drip21.pl/.

Gościem redaktora Krzysztofa Michalskiego w audycji "Eureka. Ludzie Nauki" w Polskim Radiu będzie prof. Michał Boćkowski, dyrektor IWC PAN, który opowie o rozpoczętym właśnie w Instytucie projekcie "Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych GaN-Unipress" finansowanym przez Fundację na Rzecz Nauki Polskiej (FNP).

Rozmowy będzie można posłuchać na żywo dziś, 23 lutego 2026, w Pierwszym Programie Polskiego Radia o 19:05 lub odsłuchać później w Internecie pod adresem.

We współpracy z AIST zespół badawczy prof. Shiv J. Singh'a (z Laboratorium Nadprzewodników i Technologii Wodorowych NL-6) rozszerzył diagram fazowy nadprzewodnictwa dla fluorem domieszkowanego SmFeAsO (Sm1111) aż do rekordowego poziomu 40% substytucji fluorem, wykorzystując technikę wysokiego ciśnienia w prasie sześciennej (CA-HP, ciśnienie do 6 GPa).

Serię próbek SmFeAsO_1-xF_x (Sm1111) o zakresie 0,05 ≤ x ≤ 0,40 wytworzono przy użyciu tej techniki CA-HP, co pozwoliło na kontrolowane i jednorodne wprowadzenie fluoru w szerokim zakresie składu, obejmującym również reżim przewodnictwa nadmiarowego. Pomiary strukturalne, ramanowskie, transportowe oraz magnetyczne potwierdziły stabilność tetragonalnej fazy Sm1111 oraz skuteczną substytucję fluorem w całej serii. W porównaniu z próbkami wytworzonymi metodami konwencjonalnymi, metoda wysokociśnieniowa znacząco poprawia właściwości nadprzewodzące: w obszarze niedomieszkowanym temperatura przejścia w nadprzewodnictwo (T_c) wzrasta o 10–17 K, a gęstość prądu krytycznego (J_c) zwiększa się nawet o rząd wielkości. Górne pole krytyczne zbliża się do 200 T, co wskazuje na silne ograniczenie paramagnetyczne oraz przewodnictwo wielopasmowe. Po raz pierwszy, przy użyciu techniki wysokiego ciśnienia, opracowano rozszerzony diagram fazowy nadprzewodnictwa dla układu Sm1111. Wyniki te pokazują, że synteza wysokociśnieniowa jest kluczową strategią inżynierii materiałowej, umożliwiającą rozszerzenie zakresu substytucji i optymalizację właściwości nadprzewodzących.

Więcej szczegółów znajduje się w publikacji: M. Azam, T. Zajarniuk, R. Diduszko, T. Palasyuk, C. Jastrzębski, A. Szewczyk, H. Ogino, S. J. Singh: “Fluorine substitution‑dependent phase diagram and superconducting properties of Sm‑based oxypnictides synthesized by a high‑pressure growth technique”, J Mater Sci: Mater Electron 37, 385 (2026).

Rysunek: (a) Temperatura początku nadprzewodnictwa T_c uzyskana z pomiarów rezystywności oraz (b) J_c wyznaczona z pomiarów magnetyzacji dla próbek SmFeAsO_1-xF_x przygotowanych metodą CA-HP, w funkcji nominalnej zawartości fluoru (x). Trzy zacienione obszary kolorystyczne oznaczają rejony niedomieszkowane, optymalne (Opt.) oraz nadmiarowo domieszkowane. Dla porównania uwzględniono również wcześniejsze dane

Zespół fizyków z Laboratorium Fizyki Półprzewodników Azotkowych (NL-2) naszego Instytutu - Stanisław Krukowski, Pawel Kempisty, Pawel Strak - opublikował artykuł przeglądowy zatytułowany „Charge control of semiconductor surfaces as elucidated by ab initio calculations – A review”  Progress in Surface Science 101(1), 100809 (2026), https://doi.org/10.1016/j.progsurf.2025.100809.

W pracy przeglądowej przedyskutowano postęp badań oraz pojawienie się nowych koncepcji naukowych w badaniach nad rolą ładunku na powierzchniach półprzewodników w ciągu ostatnich 15 lat. Warto podkreślić, że dominująca część wyników została osiągnięta dzięki pracy koncepcyjnej oraz obliczeniowej i analitycznej naukowców IWC PAN. Gratulujemy i zachęcamy do lektury tego artykułu przeglądowego!