Publiczna obrona rozprawy doktorskiej
Piątek, 24 Listopad 2017 14:23 |
W dniu 6. grudnia 2017 roku o godz. 11.00 w siedzibie Instytutu Wysokich Ciśnień PAN, Warszawa, ul. Sokołowska 29/37, w Sali Seminaryjnej odbędzie się
PUBLICZNA OBRONA ROZPRAWY DOKTORSKIEJ
mgr inż. Tomasza Sochackiego
Temat rozprawy:
Procesy wzrostu i własności fizyczne monokryształów GaN otrzymywanych metodą wodorkową (HVPE) na podłożach GaN z metody amonotermalnej
