Dyfuzja berylu w azotku galu Drastyczna zależność przebiegu zjawiska od kierunku wzrostu kryształu GaN
Thursday, 24 February 2022 00:36 |
W toku ciekawych badań prowadzonych przez Kacpra Sierakowskiego z Kolegami z NL 3, określone zostały mechanizmy dyfuzji berylu (Be) w kryształach azotku galu (GaN) rosnących w kierunkach krystalograficznych [0001], [10-10] oraz [11-20].
Azotek galu krystalizowano metodą halide vapor phase epitaxy (HVPE) używając natywnych zarodzi amonotermalnych o zadanej orientacji. Wykrystalizowane warstwy HVPE-GaN zostały zaimplantowane jonami berylu. W celu usunięcia zniszczeń poimplantacyjnych i aktywacji Be, warstwy zostały wygrzane w wysokich temperaturach (>1200°C), w atmosferze azotu pod ciśnieniem 1GPa. Efektem towarzyszącym procesowi wygrzewania była dyfuzja Be do wnętrza kryształu.
Zaobserwowano znaczące różnice między profilami dyfuzyjnymi w trzech analizowanych kierunkach krystalograficznych. Różnice wynikały z różnych koncentracji i rodzaju defektów punktowych w kryształach rosnących w różnych kierunkach krystalograficznych.
Publikacja:
