Instytut Wysokich Ciśnień

Inżynieria współczynnika załamania światła w strukturach laserowych opartych na GaN jest niemałym wyzwaniem ponieważ InN i AlN znacząco różnią się stałą sieci od GaN. To niedopasowanie sieciowe jest powodem dla którego skład chemiczny warstw epitaksjalnych wytwarzanych na GaN musi być dobrany w taki sposób, aby nie generować defektów niedopasowania.

Idealnym materiałem do zastosowań w okładkach laserów azotkowych mógłby być InAlN o składzie indu 17%, gdyż ma niższy współczynnik załamania niż GaN i jest dopasowany sieciowo do podłoża. Jego wytwarzanie jest jednak bardzo trudne z uwagi na diametralnie różne optymalne temperatury i ciśnienia potrzebne do syntezy InN i AlN.

W publikacji "Nauka w czasach przemian" opracowanej przez Fundację na rzecz Nauki Polskiej (FNP) dr inż. Marta Sawicka z naszego Instytutu opowiada o projekcie, w którym wraz z zespołem badaczy pracowała nad poprawą jakości InAlN wytwarzanego metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), a także wspomina o zupełnie nowym pomyśle - nanoporowatym GaN, który udało im się pokazać w tej nowej roli - jako okładkę w laserach azotkowych.

Publikacja jest już dostępna na stronach FNP, a w niej sylwetki 30 wybitnych naukowców i ich osiągnięć badawczych. Klikając w obrazek poniżej można bezpośrednio obejrzeć wspomnianą publikację. Więcej o projekcie dr inż. Marty Sawickiej i zespole badawczym na stronie Laboratorium MBE