Instytut Wysokich Ciśnień

Miło nam poinformować, że Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” zostało objęte wsparciem w ramach Inwestycji A2.4.1 Inwestycje w rozbudowę potencjału badawczego Krajowego Planu Odbudowy i Zwiększania Odporności.

Centrum, założone przez prof. dr hab. Izabellę Grzegory, czł. koresp. PAN i znajdujące się na liście strategicznych infrastruktur badawczych umieszczonych na Polskiej Mapie Infrastruktury Badawczej (numer decyzji DIR/PMIB/2020/99), otrzymało wsparcie w wysokości 75 759 580,00 PLN przy całkowitym koszcie kwalifikowalnym przedsięwzięcia 89 144 580,00 PLN.

Więcej o Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” pod linkiem.

W ramach projektu zbudowana zostanie infrastruktura do produkcji struktur kwantowych dla urządzeń elektronicznych dużej mocy i wysokiej częstotliwości opartych na półprzewodnikach azotkowych i podłożach z azotku galu (GaN) o średnicy 4-cale. Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk jest jedynym europejskim wytwórcą podłoży GaN.