Światowe święto półprzewodników azotkowych – IWN2024
| Informacje ogólne - Ważne wydarzenia |
W najbliższą niedzielę 3 listopada 2024 rozpocznie się największa konferencja dotycząca półprzewodników azotkowych, 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024).
Konferencja składa się z pięciu sympozjów tematycznych: Growth, Characterization/Physics, Optical and Optoelectronics, Electronic Devices, Nanoscale. Osobami prowadzącymi sympozjum Growth są prof. Izabella Grzegory i prof. Michał Boćkowski z naszego Instytutu.
Wykład plenarny pt. „Tunnel Junctions for Novel Nitride Optoelectronic Devices” wygłosi prof. Czesław Skierbiszewski, kierownik Laboratorium Epitaksji MBE IWC PAN.
Dwóch pracowników Instytutu zostało poproszonych o wygłoszenie referatów zaproszonych: prof. Henryk Turski będzie mówił o „Epitaxy of III-Nitride Devices on Opposite Facets of the Same Polar Crystal: New Perspectives in Materials Engineering”, a dr inż.Tomasz Sochacki opowie o „Morphological Evolution During Bulk GaN Growth”. Na konferencji wystąpi też wielu innych pracowników IWC PAN prezentując wyniki swoich prac nad półprzewodnikami azotkowymi. Prof. M. Boćkowski wystapi również jako panelista na Rump Session pt. „Future of III-Nitride Power Electronics”.
