Institute of High Pressure Physics

Polskie Towarzystwo Fizyczne Oddział Katowicki

serdecznie zaprasza na konwersatorium, na którym:

Prof. dr hab. Stanisław Krukowski
Instytut Wysokich Ciśnień PAN, 01-142 Warszawa, ul. Sokołowska 29/37 Polska
Interdyscyplinarne Centrum Modelowania UW, 02-106 Warszawa, ul Pawińskiego 5a, Polska

Wygłosi wykład  na temat:

Nagroda Nobla z fizyki 2014r: Isamu Akasaki, Hiroshi Amano  i Shuji Nakamura za wynalezienie niebieskich diod LED

Konwersatorium odbędzie się dnia 26-11-2014 r. o godz. 14:00 w Sali Audytoryjnej II  w Instytucie Fizyki Uniwersytetu Śląskiego Katowice, ul. Uniwersytecka 4

SERDECZNIE ZAPRASZAMY WSZYSTKICH PRACOWNIKÓW, DOKTORANTÓW, STUDENTÓW I WSZYSTKIE INNE ZAINTERESOWANE OSOBY

W 2014 roku Nagroda Nobla w dziedzinie fizyki została przyznana trzem badaczom z Japonii: Isamu Akasaki, Hiroshi Amano i Shuji Nakamura. Laureaci Nagrody wnieśli ogromny wkład w rozwój nowej dziedziny badań półprzewodników; azotków metali grupy III: GaN, AlN i InN oraz ich roztworów stałych, będących podstawą budowy nowej generacji urządzeń diod elektroluminescencyjnych (LED) oraz diod laserowych (LD). Najważniejsze odkrycia tej grupy to otrzymanie typu p, wynalezienie bufora niskotemperaturowego, wynalezienie procesu aktywacji typu p przez wygrzewanie w nieobecności wodoru, obniżenie gęstości dyslokacji przez wzrost lateralny oraz konstrukcja diody, w tym zastosowanie warstwy blokującej elektrony (EBL) pozwoliło na skonstruowanie całej generacji nowych urządzeń diod i laserów fioletowych, niebieskich i zielonych. Zastosowanie tych diod w charakterze pobudzania fosforu pozwala na wysoce wydajna emisję światła w tym również światła białego przez trwałe i bezpieczne urządzenia półprzewodnikowe oparte o azotki.

W Polsce badania nad tą technologia prowadzono w szeregu instytutów badawczych, w tym w IWC PAN. Doprowadziło to do skonstruowania diod i laserów azotkowych oraz linijek laserowych o mocy pracy ciągłej ponad 5W w IWC PAN oraz zależnej spółce TopGaN. Niezależnie badania te są prowadzone w szeregu instytucji co daje Polsce jedną z wioacych pozycji na świecie w tej dziedzinie.

W ramach badan nad wzrostem kryształów i warstw azotków z fazy gazowej metodą HVPE i MOVPE sformułowano podstawowe nowe własności procesów adsorpcji na powierzchniach półprzewodników, w tym zależność energii adsorpcji od położenia poziomu Fermiego na powierzchni, a więc od własności elektronowych półprzewodnika. Wyniki te pozwalają wytłumaczyć mechanizm domieszkowania kryształów i warstw półprzewodników podczas ich wzrostu z fazy gazowej.