Instytut Wysokich Ciśnień

Instytut Wysokich Ciśnień PAN zaprasza na seminarium doktoranckie „Charakterystyka równowag fazowych w mieszaninach o ograniczonej mieszalności z wykorzystaniem nowej, autorskiej metody określenia krzywych współistnienia faz”. Wykład wygłosi mgr inż. Jakub Kalabiński z Laboratorium Ceramiki i Szkła IWC PAN/ Laboratorium X-PressMatter.

Seminarium odbędzie się 27 listopada 2024 (środa) o godz. 12:00 w Budynku Nowych Technologii IWC PAN, al. Prymasa Tysiąclecia 98, 01-424 Warszawa, sala seminaryjna 2.35, jak również będzie transmitowane online na Zoom – link można otrzymać pisząc na dyrekcja@unipress.waw.pl.

Seminarium poświęcone jest prezentacji wyników naukowych uzyskanych w trakcie przygotowania rozprawy doktorskiej. Promotorem rozprawy jest dr hab. Aleksandra Drozd-Rzoska, prof. IWC PAN.

Abstrakt

Instytut Wysokich Ciśnień PAN zaprasza na seminarium doktoranckie „Charakterystyka zjawisk przedprzejściowych i dynamiki w materiałach ciekłokrystalicznych i ich nanokoloidach”. Wykład wygłosi mgr inż. Joanna Łoś z Laboratorium Ceramiki i Szkła IWC PAN/ Laboratorium X-PressMatter.

Seminarium odbędzie się 27 listopada 2024 (środa) o godz. 13:30 w Budynku Nowych Technologii IWC PAN, al. Prymasa Tysiąclecia 98, 01-424 Warszawa, sala seminaryjna 2.35, jak również będzie transmitowane online na Zoom – link można otrzymać pisząc na dyrekcja@unipress.waw.pl.

Seminarium poświęcone jest prezentacji wyników naukowych uzyskanych w trakcie przygotowania rozprawy doktorskiej. Promotorem rozprawy jest dr hab. Aleksandra Drozd-Rzoska, prof. IWC PAN.

Abstrakt

The Warsaw Doctoral School in Natural and Biomedical Sciences and the Institute of High Pressure Physics PAS cordially invites you to a SPOTLIGHT TALK

"Membrane external-cavity surface-emitting lasers (MECSELs): State of the art and a glimpse into the future" given by Dr. Hermann Kahle from University of New Mexico, Albuquerque, United States

When and where: Tuesday, August 20, 2024, 15:30 (duration: 60 min + more) at the IHPP PAS al. Prymasa Tysiąclecia 98, seminar room 2nd floor and online via Zoom. Abstract and the link to Zoom meeting are available in this file.

Selective area doping is used in semiconductors to locally change their electrical properties. After implantation, thermal treatment is required to activate dopant atoms and remove post-implantation damage in the crystallographic structure. Annealing process of GaN is challenging due to unwanted material thermal decomposition above 800°C.

In the Unipress Doctoral Seminar, Kacper Sierakowski, MSc from Crystal Growth Laboratory, Institute of High Pressure Physics will present the talk „Diffusion of acceptors in ion implanted gallium nitride grown by halide vapor phase epitaxy”.

The presentation will summarize the main results of his PhD thesis. He will discuss the application of ultra-high-pressure annealing (UHPA) for efficient electrical activation of ion implanted GaN and remarkable structural recovery. A strong dependence of diffusion on the crystallographic orientation and impurities composition was observed for all analyzed acceptor dopants.

Join us online via Zoom platform on Thursday, August 22, 2024 at 3:00 p.m. To get the link to Zoom meeting, please contact us at dyrekcja@unipress.waw.pl

Abstract of the talk is here.