Instytut Wysokich Ciśnień

W najbliższą niedzielę 3 listopada 2024 rozpocznie się największa konferencja dotycząca półprzewodników azotkowych, 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024).

Konferencja składa się z pięciu sympozjów tematycznych: Growth, Characterization/Physics, Optical and Optoelectronics, Electronic Devices, Nanoscale. Osobami prowadzącymi sympozjum Growth są prof. Izabella Grzegory i prof. Michał Boćkowski z naszego Instytutu.

Wykład plenarny pt. „Tunnel Junctions for Novel Nitride Optoelectronic Devices” wygłosi prof. Czesław Skierbiszewski, kierownik Laboratorium Epitaksji MBE IWC PAN.

Dwóch pracowników Instytutu zostało poproszonych o wygłoszenie referatów zaproszonych: prof. Henryk Turski będzie mówił o „Epitaxy of III-Nitride Devices on Opposite Facets of the Same Polar Crystal: New Perspectives in Materials Engineering”, a dr inż.Tomasz Sochacki opowie o „Morphological Evolution During Bulk GaN Growth”. Na konferencji wystąpi też wielu innych pracowników IWC PAN prezentując wyniki swoich prac nad półprzewodnikami azotkowymi. Prof. M. Boćkowski wystapi również jako panelista na Rump Session pt. „Future of III-Nitride Power Electronics”.

Tegoroczna konferencja 10th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers odbywała się w dniach 13-18 października 2024 r. w Sopocie i została zorganizowana przez nasz Instytut pod przewodnictwem prof. Piotra Perlina. Było to bardzo udane spotkanie, w którym wzięło udział prawie siedemdziesięciu uczestników. Wygłoszone zostały 62 prezentacje, w tym 14 wykładów zaproszonych , 29 prezentacji ustnych i 19 plakatów naukowych. Dziękujemy wszystkim za owocne dyskusje!

Następna konferencja 11th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers zostanie zorganizowana w 2026 r. przez Politechnikę Łódzką pod przewodnictwem prof. Tomasza Czyszanowskiego. Czekamy z niecierpliwością!

Dnia 9 października 2024 na Uniwersytecie Medycznym we Wrocławiu odbyła się międzynarodowa konferencja p.t. "Lasery w medycynie i stomatologii". Wykład inauguracyjny wygłosił prof. Witold Trzeciakowski z naszego Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Omówił on zalety laserów półprzewodnikowych i opisał wspólny projekt badawczy realizowany przez IWC PAN, Uniwersytet Medyczny we Wrocławiu oraz Warszawski Uniwersytet Medyczny. W tym projekcie IWC PAN dostarczał laserowe źródła światła niebieskiego, zielonego i czerwonego, a na uniwersytetach medycznych wykonywano badania (in vitro i kliniczne) z zastosowaniem tych laserów. Nowością było otrzymanie trzech długości fali lasera w światłowodzie co pozwalało na ciekawe badania oddziaływania promieniowania z tkanką. Projekt był przykładem owocnej współpracy interdyscyplinarnej, a jego efektem jest m. in. 9 publikacji w międzynarodowych pismach medycznych.

W trakcie konferencji dokonano przeglądu zastosowań laserów w dermatologii, urologii, okulistyce, stomatologii i chirurgii. Program dostępny jest pod linkiem. Wykład i całą konferencję można odsłuchać na YouTube. Wystąpienie prof. Witolda Trzeciakowskiego od 14 do 50 minuty nagrania.

Naukowcy z Laboratorium Epitaksji MBE NL14 Instytutu Wysokich Ciśnień PAN (IWC PAN, Unipress) we współpracy z grupami z Cornell University (CU), opublikowali wyniki wspólnych badań w czasopiśmie Nature w artykule "Using both faces of polar semiconductor wafers for functional devices" autorstwa L. van Deurzen, E. Kim, N. Pieczulewski, Z. Zhang, A. Feduniewicz-Zmuda, M. Chlipala, M. Siekacz, D. Muller,  H.G. Xing, D. Jena, H. Turski.

Zademonstrowane urządzenie jest pierwszą monolityczną integracją źródła światła (diody elektroluminescencyjnej, LED) i tranzystora (tranzystora o wysokiej ruchliwości elektronów, HEMT), wytworzonych po przeciwnych stronach tego samego podłoża półprzewodnikowego. To nowatorska koncepcja w dziedzinie azotków, dlatego też autorzy wprowadzają termin "dualtronics", aby odróżnić ją od poprzednich rozwiązań.

Dzięki zastosowaniu polarnego podłoża GaN - najwyższej dostępnej jakości wytworzonego w IWC PAN - autorzy byli w stanie wzmocnić zalety obu urządzeń, wykorzystując wbudowane pole elektryczne w strukturze GaN. Monolityczna integracja obu urządzeń na tym samym krysztale umożliwia pełne wykorzystanie powierzchni podłoża i pozwala na gęstsze upakowanie pikseli LED.

Wzrost kryształów objętościowych GaN, przygotowanie ich powierzchni, obustronny wzrost epitaksjalny (schematycznie pokazany na poniższym rysunku) oraz wstępna charakteryzacja zostały przeprowadzone w IWC PAN. Struktury LED i HEMT zostały sprocesowane na CU, gdzie przeprowadzono też charakteryzację mikroskopową i monolityczną modulację emisji światła z diody LED przez HEMT.

Praca stanowi obiecujący punkt wyjścia dla dalszego rozwoju dwustronnie zintegrowanych urządzeń optoelektronicznych i elektronicznych, i ma potencjał szerszego zastosowania nie tylko w systemie materiałów azotkowych grupy III.