Instytut Wysokich Ciśnień

Tegoroczna konferencja 10th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers odbywała się w dniach 13-18 października 2024 r. w Sopocie i została zorganizowana przez nasz Instytut pod przewodnictwem prof. Piotra Perlina. Było to bardzo udane spotkanie, w którym wzięło udział prawie siedemdziesięciu uczestników. Wygłoszone zostały 62 prezentacje, w tym 14 wykładów zaproszonych , 29 prezentacji ustnych i 19 plakatów naukowych. Dziękujemy wszystkim za owocne dyskusje!

Następna konferencja 11th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers zostanie zorganizowana w 2026 r. przez Politechnikę Łódzką pod przewodnictwem prof. Tomasza Czyszanowskiego. Czekamy z niecierpliwością!

Dnia 9 października 2024 na Uniwersytecie Medycznym we Wrocławiu odbyła się międzynarodowa konferencja p.t. "Lasery w medycynie i stomatologii". Wykład inauguracyjny wygłosił prof. Witold Trzeciakowski z naszego Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Omówił on zalety laserów półprzewodnikowych i opisał wspólny projekt badawczy realizowany przez IWC PAN, Uniwersytet Medyczny we Wrocławiu oraz Warszawski Uniwersytet Medyczny. W tym projekcie IWC PAN dostarczał laserowe źródła światła niebieskiego, zielonego i czerwonego, a na uniwersytetach medycznych wykonywano badania (in vitro i kliniczne) z zastosowaniem tych laserów. Nowością było otrzymanie trzech długości fali lasera w światłowodzie co pozwalało na ciekawe badania oddziaływania promieniowania z tkanką. Projekt był przykładem owocnej współpracy interdyscyplinarnej, a jego efektem jest m. in. 9 publikacji w międzynarodowych pismach medycznych.

W trakcie konferencji dokonano przeglądu zastosowań laserów w dermatologii, urologii, okulistyce, stomatologii i chirurgii. Program dostępny jest pod linkiem. Wykład i całą konferencję można odsłuchać na YouTube. Wystąpienie prof. Witolda Trzeciakowskiego od 14 do 50 minuty nagrania.

Naukowcy z Laboratorium Epitaksji MBE NL14 Instytutu Wysokich Ciśnień PAN (IWC PAN, Unipress) we współpracy z grupami z Cornell University (CU), opublikowali wyniki wspólnych badań w czasopiśmie Nature w artykule "Using both faces of polar semiconductor wafers for functional devices" autorstwa L. van Deurzen, E. Kim, N. Pieczulewski, Z. Zhang, A. Feduniewicz-Zmuda, M. Chlipala, M. Siekacz, D. Muller,  H.G. Xing, D. Jena, H. Turski.

Zademonstrowane urządzenie jest pierwszą monolityczną integracją źródła światła (diody elektroluminescencyjnej, LED) i tranzystora (tranzystora o wysokiej ruchliwości elektronów, HEMT), wytworzonych po przeciwnych stronach tego samego podłoża półprzewodnikowego. To nowatorska koncepcja w dziedzinie azotków, dlatego też autorzy wprowadzają termin "dualtronics", aby odróżnić ją od poprzednich rozwiązań.

Dzięki zastosowaniu polarnego podłoża GaN - najwyższej dostępnej jakości wytworzonego w IWC PAN - autorzy byli w stanie wzmocnić zalety obu urządzeń, wykorzystując wbudowane pole elektryczne w strukturze GaN. Monolityczna integracja obu urządzeń na tym samym krysztale umożliwia pełne wykorzystanie powierzchni podłoża i pozwala na gęstsze upakowanie pikseli LED.

Wzrost kryształów objętościowych GaN, przygotowanie ich powierzchni, obustronny wzrost epitaksjalny (schematycznie pokazany na poniższym rysunku) oraz wstępna charakteryzacja zostały przeprowadzone w IWC PAN. Struktury LED i HEMT zostały sprocesowane na CU, gdzie przeprowadzono też charakteryzację mikroskopową i monolityczną modulację emisji światła z diody LED przez HEMT.

Praca stanowi obiecujący punkt wyjścia dla dalszego rozwoju dwustronnie zintegrowanych urządzeń optoelektronicznych i elektronicznych, i ma potencjał szerszego zastosowania nie tylko w systemie materiałów azotkowych grupy III.

European Network for Innovative and Advanced Epitaxy - OPERA COST Action CA20116 - invites to a webinar “Equality in science - how to benefit from the diverse potential“ that will be given by Anna Grędzińska, Equal Opportunities Chief Specialist at the University of Warsaw.

When: Tuesday, September 24, 2024 at 14:00-14:30 (Warsaw time)

Where: on-line via Zoom

Abstract and speaker biography are avaialble under this link.