Ważne wydarzenia

Start

Mamy kolejnego LIDERa!

Piątek, 09 Październik 2015 12:56 |

Miło jest nam poinformować, że dr inż. Julita Smalc-Koziorowska została laureatem VI edycji programu LIDER organizowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju.

Złożony przez nią projekt o tytule Optymalizacja jakości strukturalnej studni kwantowych InGaN używanych jako obszar aktywny w zielonych laserach półprzewodnikowych znalazł się na liście projektów rekomendowanych do finansowania.

Laureatce oraz członkom zespołu badawczego serdecznie gratulujemy!

Więcej…

Nowy niskotemperaturowy PIEC do analizy termicznej - nowe możliwości!

Wtorek, 22 Wrzesień 2015 10:34 |

W Laboratorium Nanostruktur został właśnie zainstalowany nowy piec niskotemperaturowy (-150°C do 1000°C) do naszego analizatora termicznego (STA F1 449 Jupiter–Netzsch). Dzięki temu możemy wykonywać analizy dla różnego rodzaju materiałów w dwóch zakresach temperatury: od -150°C do 1000°C w nowym piecu stalowym i od temperatury pokojowej do 1550°C w istniejącym piecu z SiC.

Serdecznie zapraszamy do skorzystania z naszej oferty!

Zakup został sfinansowany z projektu:
NCN UMO-2013/11/D/ST8/03429

2015 E-MRS Fall Meeting

Piątek, 11 Wrzesień 2015 13:23 |

Twenty two Symposia will be held during the 2015 E-MRS Fall Meeting at the Warsaw School of Technology). One of them is Symposium H, titled ‘Nitride semiconductors for high power and high frequency electronic devices’. It will be organized between 15 and 17 September and will be combined with the Second Workshop of AGATE project.

Four invited papers will be presented by our Colleagues: Tomasz Sochacki (Current status of the HVPE-GaN growth), Paweł Prystawko (MOCVD-grown nitride HEMT structures on semi-insulating Ammonothermal bulk GaN substrates), Gosia Iwińska (HVPE-GaN growth on GaN-based Smart Cut™ substrates), and Piotr Kruszewski (Vertical Schottky diodes on high quality HVPE GaN). For more details and a detailed schedule of the Symposium please visit E-MRS Programme page.

Our team at the ICNS-11

Środa, 19 Sierpień 2015 15:32 |

The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11) will be held in Beijing, China. Our colleagues will present their results during this important gathering of the nitride community. An invited lecture will be given by Michal Bockowski (Challenges and future perspectives in HVPE-GaN growth on ammonothermal GaN seeds). Three oral presentations will be delivered during Growth sessions: HVPE growth of GaN doped with silicon by Paweł Kempisty, HVPE-GaN growth on GaN-based advanced substrates by Smart Cut™ by Gosia Iwińska, and Long living blue laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy by Grzegorz Muzioł. We will be represented at the Optical Devices sessions by Tadeusz Suski (Hydrostatic pressure in studies of basic properties of polar InGaN/GaN light emitters) and Henryk Turski (Staggered high indium content InGaN quantum wells grown by PAMBE). Eight posters showing our results will be presented during the poster session.

Nagroda im. Jerzego Habera dla Małgorzaty Bańkowskiej

Środa, 30 Wrzesień 2015 10:42 |

Z przyjemnością informuję że mgr. inż. Małgorzata Bańkowska została laureatem konkursu o nagrodę im. Jerzego Habera organizowanego przez Instytut Katalizy i Fizykochemii Powierzchni PAN w Krakowie. W ramach tego konkursu oceniane były prace magisterskie w dziedzinie chemii, fizyki oraz z pogranicza tych dziedzin i biologii dotyczące zagadnień fizykochemii powierzchni i/lub katalizy.

Praca magisterska pt. Badanie wpływu dodatku stopowego miedzi na efektywność platform SERS na foto-trawionym GaN otrzymała III nagrodę (500 zł oraz, w przypadku starania się o przyjęcie na studia doktoranckie w Instytucie Katalizy i Fizykochemii Powierzchni im. Jerzego Habera PAN, zwolnienie z egzaminu pisemnego i rozmowy kwalifikacyjnej, co oznacza maksymalną liczbę punktów w procesie rekrutacyjnym).

Laureatce składamy serdeczne gratulacje!

Opiekun naukowy Małgosi: dr hab. inż. Janusz Weyher, prof. IWC-PAN

Prestiżowy Grant V4 - Japan

Poniedziałek, 14 Wrzesień 2015 12:07 |

Z przyjemnością informujemy, że wśród 5 projektów (na 59 złożonych) zakwalifikowanych do finansowania w I konkursie w ramach Współpracy państw grupy Wyszechradzkiej i Japonii (V4-Japan Joint Research Program) jest nasz Projekt WISEGaN: New generation of InGaN layers, quantum wells and wires grown on vicinal GaN substrates for optoelectronics and photovoltaics.

Projekt będzie koordynowany przez prof. Michała Leszczyńskiego, a Partnerami Projektu są: Uniwersytet Nagoya z głównym Wykonawcą prof. Hiroshi Amano (Laureat Nagrody Nobla 2014) oraz Uniwersytet Karola w Pradze z głównym Wykonawcą prof. Vaclavem Holy, światowej sławy specjalistą w dziedzinie badań rentgenowskich.

Więcej…

Obrona pracy magisterskiej Małgorzaty Bańkowskiej

Piątek, 11 Wrzesień 2015 13:17 |

Z przyjemnością informujemy że 8 września 2015 r. Małgorzata Bańkowska obroniła na wydziale Chemicznym Politechniki Warszawskiej pracę magisterską pod tytułem Badanie wpływu dodatku stopowego miedzi na efektywność platform SERS na foto-trawionym GaN i ukończyła studia z oceną celującą, otrzymując tytuł magistra inżyniera.

Swoje badania naukowe do pracy dyplomowej prowadziła pod kierunkiem prof. Janusza Weyhera i mgr inż. Igora Dzięcielewskiego z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN oraz dr inż. Karoliny Zelga z Wydziału Chemicznego Politechniki Warszawskiej. Pani magister życzymy dalszych sukcesów w badaniach prowadzonych w Unipressie!

GaN crystals from Unipress presented at international conferences

Środa, 19 Sierpień 2015 15:28 |

Two invited lectures were delivered in August by our coworker, Michal Bockowski. The first one was at a joint session of the 20th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-20) and the 17th U.S. Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-17) which were held in Big Sky, Montana, USA. The title of the presentation was HVPE-GaN growth on ammonothermal GaN seeds - challenges and perspectives. More information on the conference website.

The second invited talk, titled Challenges and future perspectives in HVPE-GaN growth, was given during the SPIE Optics and Photonics Conference in San Diego, California.

Więcej artykułów…