Instytut Wysokich Ciśnień

Narodowe Centrum Badań i Rozwoju (NCBiR) w Polsce oraz Narodowa Rada Nauki i Technologii (NSTC - National Science and Tehcnology Council) na Tajwanie organizują Tajwańsko-Polskie Sympozjum na temat technologii półprzewodników. Seminarium odbędzie się 6 listopada 2023 r. w National Applied Research Laboratories (NARLabs) w Hsinchu na Tajwanie.

Prof. Izabella Grzegory została zaproszona do pełnienia funkcji polskiego koordynatora 10. polsko-tajwańskiego Sympozjum. Koordynatorami merytorycznymi ze strony tajwańskiej są dr Mei-Yu Chang, dyrektor Biura Spraw Międzynarodowych NARLabs oraz dr Chang-Hong Shen, zastępca dyrektora TSRI (Tajwański Instytut Badań nad Półprzewodnikami).

Polskę reprezentować będzie sześcioro wykładowców z Uniwersytetu Warszawskiego, Politechniki Warszawskiej, Politechniki Wrocławskiej, Wojskowej Akademii Technicznej, Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki –Sieć Łukasiewicz oraz IWC PAN. Wykład z IWC PAN pt. Physics and Engineering of GaN in UNIPRESS: crystals, quantum structures and devices wygłosi Prof. Izabella Grzegory.

Szczegółowy program Sympozjum dostępny jest tutaj.

Dnia 23.10.2023 został podpisany Apel o utworzenie odrębnych ministerstw Nauki i Szkolnictwa Wyższego oraz Edukacji Narodowej.

Instytut Wysokich Ciśnień wyraża poparcie dla tego stanowiska.

Treść apelu:

Z całą mocą apelujemy o utworzenie odrębnych ministerstw Nauki i Szkolnictwa Wyższego oraz Edukacji Narodowej.

Utworzenie w 2021 roku jednego ministerstwa obejmującego naukę, szkolnictwo wyższe i oświatę doprowadziło do spadku znaczenia badań naukowych i obniżenia realnych nakładów przeznaczanych na ten cel. Pokazało również całkowitą odmienność mechanizmów finansowania i zarządzania edukacją szkolną względem edukacji akademickiej i nierozerwalnie z nią związanych badań naukowych.

Połączenie tych jakże ważnych dziedzin rozwoju nowoczesnego społeczeństwa w jednym resorcie nie przyniosło przewidywanych korzyści. Miało natomiast negatywny wpływ na dostosowywanie polskiego systemu szkolnictwa wyższego i nauki do dynamicznie zmieniających się stosunków społecznych w Polsce i w innych krajach europejskich oraz sprostania wyzwaniom, jakie stawia przed nauką współczesny świat.

Nauka i edukacja na poziomie wyższym stanowią fundament pomyślnego rozwoju Polski i powinny być objęte działaniem odrębnego ministerstwa. Deklarujemy jak najdalej idącą współpracę zmierzającą do utworzenia resortu nauki i szkolnictwa wyższego.

Prof. dr hab. Marcin Pałys - Przewodniczący Rady Głównej Nauki i Szkolnictwa Wyższego

Prof. dr hab. Marek Konarzewski - Prezes Polskiej Akademii Nauk

Prof. dr hab. Maciej Żylicz - Prezes Fundacji na rzecz Nauki Polskiej

Wysokiej jakości struktury AlGaN/GaN z bramką w kształcie grzebienia (wytworzone w geometrii tranzystora FET) umożliwiły odkrycie dwóch odrębnych, przestrajalnych elektrycznie faz w kryształach plazmonicznych na bazie półprzewodników azotkowych. Otwiera to nowe możliwości w zakresie oszczędnych, kompaktowych i sterowalnych urządzeń dla optoelektroniki terahercowej (THz).

Nowe wyniki badań azotkowych kryształów plazmonicznych zostały opisane w Physical Review X (2023) - prestiżowym i wpływowym periodyku (IF 14.4). Przyrządy na bazie GaN zostały w pełni wykonane w naszym Instytucie we współpracy z CEZAMAT Politechniki Warszawskiej, gdzie wykonano submikrometrową litografię wiązką elektronów, elektrod siatki-bramki o. dużej powierzchni aktywnej. Część teoretyczną pracy wspierał ukraiński zespół teoretyków z Instytutu Fizyki Półprzewodników im. V. Ye. Lashkaryova z Kijowa w ramach długoterminowego programu wsparcia ukraińskich zespołów badawczych. Co więcej, temat jest również interesujący w ramach niedawno rozpoczętego grantu ERC Advanced Grant, którego celem jest wzmocnienie sygnału terahercowego.

Publikcaja “Electrical Tuning of Terahertz Plasmonic Crystal Phases” P. Sai, V. V. Korotyeyev, M. Dub, M. Słowikowski, M. Filipiak, D. B. But, Y. Ivonyak, M. Sakowicz, Y. M. Lyaschuk, S. M. Kukhtaruk, G. Cywiński and W. Knap, Physical Review X 13, 041003 (2023) stanowi ważną część rozprawy doktorskiej mgr Pavlo Sai, której obrona planowana jest 27 października 2023.

Rysunek: Wizualizacja transmitancji THz dla AlGaN/GaN kryształu plazmonicznego przy różnych napięciach przykładanych do elektrody bramki grzebieniowej. Rysunek demonstruje przejścia pomiędzy fazami: zdelokalizowaną, gdzie promieniowanie THz jest absorbowane przez całą grzebieniową strukturę realizowaną w reżimie słabej modulacji dwuwymiarowego gazu elektronowego (2DEG) oraz fazą zlokalizowaną, gdzie promieniowanie THz oddziałuje wyłącznie z niebramkowanymi segmentami kryształu plazmonicznego.

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) will be held on November 12-17, 2023 in Fukuoka, Japan. The conference will present high-impact scientific and technological advances in materials and devices based on group-III nitride semiconductors, and feature plenary sessions, parallel topical sessions, poster sessions and an industrial exhibition.

Scientists from Unipress - Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences will present their latest results in numerous contributions: one invited lecture (Michał Boćkowski), 17 oral presentations and 17 poster presentations. We also contributed as co-authors to other research prestented during this conference. Full ICNS-14 program can be found here.