Instytut Wysokich Ciśnień

W dniu 29 czerwca 2022, Rada Naukowa IWC PAN nadała stopień doktora habilitowanego w dziedzinie nauk ścisłych i przyrodniczych w dyscyplinie nauki fizyczne, Julicie Smalc-Koziorowskiej oraz Maciejowi Sakowiczowi. Obydwoje doktorzy habilitowani otrzymali znakomite recenzje swojego dorobku badawczego i wkroczyli na nową drogę kariery naukowej.

Osiagnięcie Julity poddane recenzji to:

“Błędy ułożenia w epitaksjalnych warstwach azotkowych i ich interakcja z innymi defektami struktury krystalicznej”

Osiągnięcie Macieja nosiło tytuł:

„Fizyka półprzewodnikowych detektorów i źródeł światła podczerwonego.”

Serdeczne gratulacje i życzenia wielu fascynujących naukowych przygód!

In the last week of June, ICPS-2022 will take place in Sydney (Australia). It is the world's largest and most prestigious conference on various aspects of semiconductor physics.

We are very pleased to see among the invited speakers our colleague Dr. Julita Smalc-Koziorowska. Julita is a specialist in the physics of semiconductor structure defects. Her research interests span transmission electron microscopy characterization of semiconductor structures with a special focus on tracking the mechanism of defect introduction in epitaxial nitride layers. Recently, she studied the mechanism of threading dislocation introduction from stacking fault domains in such layers.

Julita is a specialist in the physics of defects in semiconductor crystals and structures. At the Conference, she will be talking on the role of metal vacancies in thermal degradation of InGaN.

Dobre zrozumienie i powtarzalność procesu trawienia elektrochemicznego (ECE) GaN typu n sprawiły, że technika ta stała się interesującą metodą kontroli współczynnika załamania światła warstw GaN poprzez zmianę ich porowatości. Jednak w przypadku GaN typu p, wydaje się, że brak modelu i zrozumienia procesu stanowiły istotną przeszkodę w demonstracji trawienia ECE GaN p-typu w kontrolowany sposób. W pracy N. Fiuczek et al. „Electrochemical etching of p-type GaN using a tunnel junction for efficient hole injection”, opublikowanej ostatnio w prestiżowym czasopiśmie Acta Materialia autorzy tłumaczą mechanizm trawienia p-typu oraz pokazują, że zastosowanie złącza tunelowego pozwala na bardzo efektywne wstrzykiwanie nośników potrzebnych do trawienia.

We are pleased to announce the success of Karolina Grabianska at LEDIA’22 Conference held in Yokohama, Japan, 21‑22.04.2022! Karolina received the Masahito Yamaguchi Student's Paper Award for her invited paper entitled "On Stress-Induced Polarization Effect in Ammonothermally-grown GaN crystals".

We are very proud of our PhD student!