prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski

LIDER GRUPY MBE

Profesor Czesław Skierbiszewski jest twórcą i liderem grupy badawczej zajmującej się epitaksją z wiązek molekularnych (MBE) w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk. Ukończył Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego w 1984 roku. Po doktoracie, który obejmował badania wysokociśnieniowe HgSe, zajmował się badaniami półprzewodników z rodziny GaAs domieszkowanych azotem, tzw. “dilluted nitrides”. Do jego najważniejszych osiągnięć w tej dziedzinie należy wyznaczenie zależności masy efektywnej w InGaNAs od zawartości azotu i od koncentracji elektronów. Od 2000 roku zajmuje się badaniami warstw i struktur wytwarzanych na podłożach GaN. Jest autorem pierwszej w Europie niebieskiej azotkowej diody laserowej wytworzonej techniką MBE, którą zademonstrował w 2001 roku. Wytworzył także m.in. diody laserowe o bardzo długim czasie pracy 15 000 h oraz pierwsze diody laserowe o konstrukcji bez glinu. Jest autorem ponad 140 publikacji w renomowanych czasopismach z dziedziny fizyki i inżynierii materiałowej (h-index 22).

Zainteresowania badawcze

Profesor Czesław Skierbiszewski prowadzi badania nad zrozumieniem fizyki wzrostu warstw azotkowych w metodzie MBE oraz udoskonaleniem konstrukcji diod laserowych i elektroluminescencyjnych. Celem jest wydłużenie długości fali emitowanego światła i poprawa parametrów optycznych i elektrycznych tych urządzeń. Profesor Skierbiszewski jest ekspertem w dziedzinie epitaksji z wiązek molekularnych, a dzięki ścisłej współpracy z firmą TopGaN, wiele proponowanych przez niego rozwiązań jest wdrażanych do produkcji.


Kontakt

tel. +48 22 876 0351
lab. +48 22 876 0324
email: czeslaw@unipress.waw.pl