Laboratorium MBE
Instytut Wysokich Ciśnień PAN
O nas
Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".
Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.
Aktualności
Nowe projekty
18.05.2020 NARODOWE CENTRUM NAUKI ogłosiło wyniki trzech flagowych konkursów OPUS, PRELUDIUM i SONATA. Laureatami obecnej edycji zostało aż czterech członków naszej grupy. Dr inż. Marta Sawicka będzie realizować projekt SONATA „Nanoporowaty GaN – nowa platforma dla realizacji struktur kwantowych” (panel ST5), a dr Grzegorz Muzioł będzie realizować projekt SONATA „Obejście pól piezoelektrycznych w heterostrukturach azotków grupy III – droga do rozwiązania problemu „green gap” (panel ST3). Mgr inż. Mateusz Hajdel będzie kierownikiem projektu PRELUDIUM „Wpływ wbudowanych pól piezoelektrycznych na sprawność azotkowych diod laserowych” (panel ST7), a mgr inż. Mikołaj Chlipała kierownikiem projektu PRELUDIUM „Monolitycznie zintegrowany tranzystor bipolarny z LED w systemie azotków III grupy” (panel ST7). Przed nami nowe wyzwania naukowe.
Obrony prac magisterskich Julii Sławińskiej i Natalii Fiuczek
09.09.2019 Julia Sławińska i Natalia Fiuczek obroniły z wyróżnieniem prace magisterskie realizowane w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN w naszym laboratorium. Badania były częścią projektów Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej: "Tunnel junction and its applications for GaN based optoelectronics" kierownego przez prof. Czesława Skierbiszewskiego oraz "Development of high quality InAlN – the road to strain-free nitride lasers" kierowanego przez dr inż. Martę Sawicką. Gratulujemy uzyskanych tytułów!
Nagroda dla Julii Sławińskiej za najlepszy plakat na konferencji 13th International Conference of Nitride Semiconductors"
24.07.2019 Julia Sławińska jest magistrantką w grupie prof. Czesława Skierbiszewskiego (NL 14) Instytutu Wysokich Ciśnień. Na konferencji przedstawiła plakat pt. "Arrays of Nitride MicroLEDs with Tunnel Junctions Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy". Laureatka jest zaangażowana w realizację projektu TEAM-TECH POIR.04.04.00-00-210C/16-00 Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej współfinansowanym przez środki Uni Europejskiej. Więcej informacji.
Ostatnio opublikowaliśmy:
- Revealing inhomogeneous Si incorporation into GaN at the nanometer scale by electrochemical etching By: M. Sawicka, N. Fiuczek, H. Turski, G. Muziol, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Zmuda, P. Wolny, C. Skierbiszewski, NANOSCALE, Volume: 12, Issue: 10, Pages: 6137-6143, Published: MAR 14 2020
- Role of high nitrogen flux in InAlN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy By: M. Sawicka, N. Fiuczek, P. Wolny, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Siekacz, M. Kryśko, K. Nowakowski-Szkudlarek, J. Smalc-Koziorowska, S. Kret, Ž. Gačević, E. Calleja, C. Skierbiszewski, Journal of Crystal Growth, 544 125720 (2020)
Pełna lista publikacji
Nasz zespół
Skierbiszewski
Muzioł 
Turski 
Siekacz 
Sawicka 
Feduniewicz-Żmuda 
Nowakowski-Szkudlarek 
Wolny 
Hajdel 
Żak 
Sławińska 
Fiuczek 
Chlipała 
Bharadwaj
Projekty
Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:
1. TeamTech
„Złącza tunelowe i ich zastosowanie dla optoelektroniki opartej o azotek galu”
2. NbN
"Monolithic integration of superconductors and semiconductors on nitride platform”
3. LIDER - towards green LDs
"Inżynieria pól elektrycznych oraz domieszkowania na typ p w heterostrukturach InGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową – rozwój zielonych diod azotkowych.”
4. LIDER - DFB LDs
“Nitride based distributted feedback laser diodes”
5. POWROTY
"Rozwój wysokiej jakości InAlN - droga do laserów azotkowych wolnych od naprężeń."
6. HOMING
"Polarity engineering in nitride heterostructures"
7. SONATA - wide QW
"Circumvention of piezoelectric fields in III-nitride heterostructures – a way towards solving the green gap problem"
8. SONATA - porous GaN
"Nanoporous GaN – a new platform for realization of quantum structures"
9. PRELUDIUM - LD
"Wpływ wbudowanych pól piezoelektrycznych na sprawność azotkowych diod laserowych"
10. Preludium - HBT
"Monolitycznie zintegrowany tranzystor bipolarny z LED w systemie azotków III grupy"
Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ
Galeria
Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:
W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).
Kontakt
Adres
Siedziba główna::
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa
Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa
komunikacja miejska:
PKP Koło - przystanek tramwajowy
PKP Koło - przystanek autobusowy
Telefon:
+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab
E-mail:
czeslaw@unipress.waw.pl