Laboratorium MBE

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

O nas

Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".

Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.

Aktualności

Nasi doktoranci wyróżnieni w konkursie

Z radością informujemy, że mgr inż. Mikołaj Żak oraz mgr inż. Mateusz Hajdel otrzymali wyróżnienie w XXVII edycji Ogólnopolskiego Konkursu im. Adama Smolińskiego na najlepszą pracę dyplomową z dziedziny optoelektroniki organizowanego przez Polski Komitet Optoelektroniki SEP. Obie prace realizowane przy współpracy Politechniki Gdańskiej oraz laboratorium MBE Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. GRATULUJEMY!

Mgr inż. Mateusz Hajdel laureatem programu stypendialnego "100 na 100"

30.11.2018 Z dumą informujemy, że mgr inż. Mateusz Hajdel został laureatem programu stypendialnego Fundacji Lotto "100 na 100" im. Haliny Konopackiej i Ignacego Matuszewskiego. Realizowany z okazji setnej rocznicy odzyskania przez Polskę niepodległości program to stypendia dla setki najlepszych studentów, mające umożliwić im dalszy rozwój oraz pogłębianie wiedzy również poza własną dyscypliną. Więcej informacji o programie na stronie: www.fundacjalotto.pl/100stypendiow

Nowy projekt FNP - oferta stypendium dla doktoranta

Zapraszamy doktorantów do aplikowania o stypendium w ramach projektu HOMING "Polarity engineering in Nitride heterostructures", którego kierownikiem jest dr Henryk Turski. Termin nadsyłania zgłoszeń 29.10.2018 godz. 12:00. Szczegóły w ofercie stypendium pod tym linkiem: 1_oferta-pracy_FNP_IWC_Homing.pdf

Gratulujemy stypendiów Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego

Z radością informujemy, że dr inż. Grzegorz Muzioł oraz dr Henryk Maciej Turski z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN otrzymają stypendia naukowe Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego. Znaleźli się oni w gronie 181 wybitnych młodych naukowców prowadzących wysokiej jakości badania i cieszących się imponującym dorobkiem naukowym.

Ostatnio opublikowaliśmy:
  1. Nitrogen-rich growth for device quality N-polar InGaN/GaN quantum wells by plasma-assisted MBE By: H. Turski, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Sawicka, A. Reszka, B. Kowalski, M. Krysko, P. Wolny, J. Smalc-Koziorowska, M. Siekacz, G. Muzioł, K. Nowakowski-Szkudlarek, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, Journal of Crystal Growth 512, 208-212 Published: APR 2019
  2. Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy By: G. Muzioł, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, M. Hajdel, J. Smalc-Koziorowska, A. Feduniewicz-Żmuda, E. Grzanka, P. Wolny, H. Turski, P. Wiśniewski, P. Perlin, C. Skierbiszewski, Materials Science in Semiconductor Processing 91, 387-391 Published: MAR 2019
  3. Depletion Layer Built-In Field at (1-100), (0001), and (000-1) GaN/Water Junction and Its Role in Semiconductor Nanowire Water Splitting By: H. Stokowski, L. Janicki, J. Serafińczuk, M. Siekacz, C. Skierbiszewski, R. Kudrawiec, Advanced Materials Interfaces 6, 1801497 Published: FEB 2019

    Pełna lista publikacji dostępna TUTAJ
    Archiwum aktualności

Nasz zespół

prof dr hab. Czesław
Skierbiszewski

dr inż. Grzegorz
Muzioł
dr Henryk
Turski
dr inż. Marcin
Siekacz
dr inż. Marta
Sawicka
mgr Anna
Feduniewicz-Żmuda
mgr inż. Krzesimir
Nowakowski-Szkudlarek
mgr inż. Paweł
Wolny
mgr inż. Maciej
Mikosza
mgr inż. Mateusz
Hajdel
inż. Mikołaj
Żak
inż. Julia
Sławińska
inż. Natalia Fiuczek
Żak
inż. Mikołaj
Chlipała
Shyam
Bharadwaj

Projekty

Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:

1. TeamTech

„Złącza tunelowe i ich zastosowanie dla optoelektroniki opartej o azotek galu”

2. N-side

"Wykonanie podłoży polarnych z azotku galu o azotowej stronie powierzchni czynnej oraz określenie jej przydatności w epitaksji”

3. LIDER

"Inżynieria pól elektrycznych oraz domieszkowania na typ p w heterostrukturach InGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową – rozwój zielonych diod azotkowych.”

4. SPRInG

“Short Period Superlattices for Rational (In Ga)N”

5. POWROTY

"Rozwój wysokiej jakości InAlN - droga do laserów azotkowych wolnych od naprężeń."

Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ

Galeria

Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:

W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).

Kontakt

Adres

Siedziba główna:
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa

Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa

komunikacja miejska:
Majakowskiego - przystanek tramwajowy
Obozowa - przystanek autobusowy

Telefon:

+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab

E-mail:

czeslaw@unipress.waw.pl