Laboratorium MBE

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

O nas

Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".

Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.

Aktualności

COST “European Network for Innovative and Advanced Epitaxy” - OPERA

W dniach 27-28.09.2021 odbyło się pierwsze spotkanie "kick-off meeting" międzynarodowego europejskiego projektu COST “European Network for Innovative and Advanced Epitaxy” - OPERA. Projekt współtworzą zespoły badawcze zajmujące się epitaksją z 33 krajów, w tym Polski. Badacze współpracujący w ramach COST zajmują się epitaksją różnych materiałów, od klasycznych półprzewodników, przez materiały tlenkowe aż po materiały dwuwymiarowe. Polskę w projekcie COST reprezenują dr hab. Wojciech Pacuski oraz dr inż. Marta Sawicka z naszego Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Więcej informacji o celach projektu i partnerach na stronie: https://www.cost.eu/actions/CA20116/.

Doktor Habilitowany Henryk Turski - Gratulacje!

Z przyjemnością informujemy że Rada Naukowa Instytutu Wysokich Ciśnień PAN na posiedzeniu zdalnym w dniu 25 maja 2021 r nadała dr Henrykowi Maciejowi Turskiemu stopień doktora habilitowanego w dziedzinie nauk fizycznych za rozprawę pt. Heterostruktury i urządzenia charakterystyczne dla azotowej polarności GaN otrzymane w technologii epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową. Rozprawa została przedłożona Radzie Doskonałości Naukowej 28 maja 2020 r. Rada Doskonałości Naukowej przekazała dokumentację rozprawy, na podstawie której Rada Naukowa wyraziła zgodę na przeprowadzenie postępowania habilitacyjnego 1 lipca 2020 r oraz zatwierdziła ostateczny skład komisji habilitacyjnej 13 października 2020 r. Komisja habilitacyjna na posiedzeniu zdalnym 23 marca 2021 r podjęła uchwałę stwierdzającą że rozprawa habilitacyjna dr Henryka Macieja Turskiego stanowi znaczny wkład w rozwój dyscypliny naukowej nauki fizyczne i wyraziła pozytywna opinie w sprawia nadania dr Henrykowi Maciejowi Turskiemu stopnia naukowego doktora habilitowanego w dziedzinie nauk ścisłych i przyrodniczych w dyscyplinie nauki fizyczne. Zgodnie z rekomendacją Komisji, Rada Naukowa IWC PAN na posiedzeniu zdalnym w dniu 25 maja 2021 r. w głosowaniu niejawnym, zatwierdziła uchwałę o nadaniu dr Henrykowi Maciejowi Turskiemu stopnia doktora habilitowanego nauk fizycznych. Serdecznie gratulujemy i życzymy wielu sukcesów w przyszłości Z dorobkiem naukowym oraz dokumentacją procedury habilitacyjnej można się zapoznać na stronie Instytutu

Projekt BANANO dr inż. Marty Sawickiej - najlepszy

Z radością zawiadamiamy, że projekt naszej koleżanki dr inż. Marty Sawickiej znalazł się na pierwszym miejscu listy rankingowej w konkursie SMALL GRANT SCHEME, ogłoszonej 7.05.2021 przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Projekt „Buried periodic Arrays of NANOchannels for single-frequency nitride lasers” będzie miał na celu wykorzystanie synergii kilku zaawansowanych technologii w celu otrzymania laserów opartych na GaN o jednomodowym widmie (ang. distributed feedback laser diodes - DFB LDs). Innowacyjność zaproponowanego podejścia polega na umieszczeniu siatki dyfrakcyjnej wewnątrz struktury. Schemat przyrządu prezentuje grafika poniżej (autor Mateusz Hajdel).

Azotkowe złącza tunelowe o rekordowo niskim oporze

Mikołaj Żak wraz z kolegami opublikował w Physical Review Applied interesującą pracę dotyczącą azotkowych złącz tunelowych wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices. W pracy zaproponowano sposób wytwarzania domieszkowanych złącz tunelowych GaN:Mg/InGaN:Mg+/InGaN:Si+/GaN:Si o rekordowo niskim oporze szeregowym zachowując wysoką jakość wytwarzanych struktur. Wyniki eksperymentalne mierzonego prądu tunelowania zostały poparte obliczeniami w modelu k·p Kane’a z uwzględnieniem realistycznego rozkładu pól elektrycznych w strukturze złącza. Istotnym elementem w wytłumaczeniu zgodności modelu teoretycznego z wynikami eksperymentalnymi efektów tunelowania była analiza struktury pasma walencyjnego GaN i przyjęcie poprawnej masy efektywnej dla dziur biorących udział w tunelowaniu.

Archiwum aktualności

Ostatnio opublikowaliśmy:

1. GaN-based bipolar cascade lasers with 25 nm wide quantum wells By: J. Piprek, G. Muziol, M.Siekacz, C. Skierbiszewski, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS Vol: 54 Issue: 1 Article Number62 Published JAN 2022 DOI10.1007/s11082-021-03455-0
2. Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs By: M. Hajdel, M. Chlipala, M. Siekacz, H. Turski, P. Wolny, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Zmuda, C. Skierbiszewski, G. Muziol, MATERIALS Vol: 15 Issue: 1 Article Number:237 Published 2021 DOI10.3390/ma15010237
3. III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells-unexpectedly efficient light sources By: G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, H. Turski, K. Pieniak, A. Bercha, W. Trzeciakowski, R. Kudrawiec, T. Suski, C. Skierbiszewski, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol:61 Issue:SA SupplementA Article NumberSA0801 Published 2021 DOI10.35848/1347-4065/ac3c1a

Pełna lista publikacji

Nasz zespół

Projekty

Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:

Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ

Galeria

Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:

W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).

Kontakt

Adres

Siedziba główna::
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa

Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa

komunikacja miejska:
PKP Koło - przystanek tramwajowy
PKP Koło - przystanek autobusowy

Telefon:

+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab

E-mail:

czeslaw@unipress.waw.pl