Laboratorium MBE

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

O nas

Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".

Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.

Aktualności

Nowe projekty

18.05.2020 NARODOWE CENTRUM NAUKI ogłosiło 18 maja 2020 wyniki trzech flagowych konkursów OPUS, PRELUDIUM i SONATA. Laureatami obecnej edycji zostało aż czterech członków naszej grupy. Dr inż. Marta Sawicka będzie realizować projekt SONATA „Nanoporowaty GaN – nowa platforma dla realizacji struktur kwantowych” (panel ST5), a dr Grzegorz Muzioł będzie realizować projekt SONATA „Obejście pól piezoelektrycznych w heterostrukturach azotków grupy III – droga do rozwiązania problemu „green gap” (panel ST3). Mgr inż. Mateusz Hajdel będzie kierownikiem projektu PRELUDIUM „Wpływ wbudowanych pól piezoelektrycznych na sprawność azotkowych diod laserowych” (panel ST7), a mgr inż. Mikołaj Chlipała kierownikiem projektu PRELUDIUM „Monolitycznie zintegrowany tranzystor bipolarny z LED w systemie azotków III grupy” (panel ST7). Przed nami nowe wyzwania naukowe.

Obrony prac magisterskich Julii Sławińskiej i Natalii Fiuczek

09.09.2019 Julia Sławińska i Natalia Fiuczek obroniły z wyróżnieniem prace magisterskie realizowane w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN w naszym laboratorium. Badania były częścią projektów Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej: "Tunnel junction and its applications for GaN based optoelectronics" kierownego przez prof. Czesława Skierbiszewskiego oraz "Development of high quality InAlN – the road to strain-free nitride lasers" kierowanego przez dr inż. Martę Sawicką. Gratulujemy uzyskanych tytułów!

Nagroda dla Julii Sławińskiej za najlepszy plakat na konferencji 13th International Conference of Nitride Semiconductors"

24.07.2019 Julia Sławińska jest magistrantką w grupie prof. Czesława Skierbiszewskiego (NL 14) Instytutu Wysokich Ciśnień. Na konferencji przedstawiła plakat pt. "Arrays of Nitride MicroLEDs with Tunnel Junctions Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy". Laureatka jest zaangażowana w realizację projektu TEAM-TECH POIR.04.04.00-00-210C/16-00 Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej współfinansowanym przez środki Uni Europejskiej. Więcej informacji.

Poprzednie aktualności

Ostatnio opublikowaliśmy:

1. Nitride LEDs and Lasers with Buried Tunnel Junctions, By H. Tursk, M. Siekacz, G. Muziol, M. Hajdel, S. Stanczyk, M. Zak, M. Chlipala, Cz. Skierbiszewski, S. Bharadwaj, HG. Xing, D. Jena, ECS Journal of Solid State Science and Technology, Volume: 9, Issue: 1, Article Number: 015018, Published: DEC 5 2019, DOI: 10.1149/2.0412001JSS,
2. Influence of Electron Blocking Layer on Properties of InGaN-Based Laser Diodes Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy, Hajdel, M.; Muziol, G. ; Nowakowski-Szkudlarek, K. ; Siekacz, M.; Feduniewicz-Zmuda, A., Wolny, P. , Skierbiszewski, C., Acta Physica Polonica A, Volume: 136, Issue: 4, Pages: 592-596, Published: OCT 2019, DOI: 10.12693/APhysPolA.136.593
3. Beyond Quantum Efficiency Limitations Originating from the Piezoelectric Polarization in Light-Emitting Devices By Muziol, G. ; Turski, H. ; Siekacz, M. ; Szkudlarek, K. ; Janicki, L. ; Baranowski, M. ; Zolud, S. ; Kudrawiec, R.; Suski, T. ; Skierbiszewski, C. ACS Photonics, Volume: 6, Issue: 8, Pages: 1963-1971, Published: AUG 2019, DOI: 10.1021/acsphotonics.9b00327
4. Unusual step meandering due to Ehrlich-Schwoebel barrier in GaN epitaxy on the N-polar surface By: H. Turski, F. Krzyżewski, A. Feduniewicz-Żmuda, P. Wolny, M. Siekacz, G. Muzioł, C. Cheze, K. Nowakowski-Szkudlarek, H. Xing, D. Jena, M. Załuska-Kotur, C. Skierbiszewski, Applied Surface Science 484, 771-780 Published: AUG 2019
   
   Pełna lista publikacji
   Archiwum aktualności

Nasz zespół

Projekty

Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:

Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ

Galeria

Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:

W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).

Kontakt

Adres

Siedziba główna::
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa

Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa

komunikacja miejska:
PKP Koło - przystanek tramwajowy
PKP Koło - przystanek autobusowy

Telefon:

+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab

E-mail:

czeslaw@unipress.waw.pl