Laboratorium MBE
Instytut Wysokich Ciśnień PAN
O nas
Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".
Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.
Aktualności
Obrony prac magisterskich Julii Sławińskiej i Natalii Fiuczek
09.09.2019 Julia Sławińska i Natalia Fiuczek obroniły z wyróżnieniem prace magisterskie realizowane w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN w naszym laboratorium. Badania były częścią projektów Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej: "Tunnel junction and its applications for GaN based optoelectronics" kierownego przez prof. Czesława Skierbiszewskiego oraz "Development of high quality InAlN – the road to strain-free nitride lasers" kierowanego przez dr inż. Martę Sawicką. Gratulujemy uzyskanych tytułów!
Nagroda dla Julii Sławińskiej za najlepszy plakat na konferencji 13th International Conference of Nitride Semiconductors"
24.07.2019 Julia Sławińska jest magistrantką w grupie prof. Czesława Skierbiszewskiego (NL 14) Instytutu Wysokich Ciśnień. Na konferencji przedstawiła plakat pt. "Arrays of Nitride MicroLEDs with Tunnel Junctions Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy". Laureatka jest zaangażowana w realizację projektu TEAM-TECH POIR.04.04.00-00-210C/16-00 Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej współfinansowanym przez środki Uni Europejskiej. Więcej informacji.
Obrona pracy magisterskiej Mikołaja Chlipała
16.07.2019 Gratulujemy obrony z wyróżnieniem mgr inż. Mikołaja Chlipały pracy pod tytułem "Mechanizmy elektroluminescencji w temperaturach kriogenicznych azotkowych diod ze złączami tunelowymi wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych". stypendyście Fundacji na rzecz Nauki Polskiej, studentowi w projekcie TEAM-TECH project.
Prof. Czesław Skierbiszewski - chairman of "Jaszowiec 2020"
14.06.2019 Program Comittee of "International School & Conference on the Physics of Semiconductors" nominated Prof. Czesław Skierbiszewski to be the chairman of the next "Jaszowiec" conference.
Scholarship for a Master student
14.06.2019 Students enrolled in Master Programm are welcome to apply for a sholarship within the HOMING project "Polarity engineering in Nitride heterostructures" financed by the Foundation for Polish Science. Primary Investigator (PI) - dr Henryk Turski. Offer details and required application documents can be found on Euraxess webpage. Application deadline os 14/06/2019 12:00 (Warsaw/Athens time).
Ostatnio opublikowaliśmy:
- Unusual step meandering due to Ehrlich-Schwoebel barrier in GaN epitaxy on the N-polar surface By: H. Turski, F. Krzyżewski, A. Feduniewicz-Żmuda, P. Wolny, M. Siekacz, G. Muzioł, C. Cheze, K. Nowakowski-Szkudlarek, H. Xing, D. Jena, M. Załuska-Kotur, C. Skierbiszewski, Applied Surface Science 484, 771-780 Published: AUG 2019
- Optical properties of III-nitride laser diodes with wide InGaN quantum wells By: G. Muzioł, M. Hajdel, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, S. Stańczyk, H. Turski, C. Skierbiszewski, Applied Physics Express 12, 072003 Published: JUNE 2019
- Polarization control in nitride quantum well light emitters enabled by bottom tunnel-junctions By: H. Turski, S. Bharadwaj, H. Xing, D. Jena, Journal of Applied Physics 125, 203104 Published: MAY 2019
Full list of our publications HERE
News archive
Nasz zespół
Skierbiszewski
Muzioł 
Turski 
Siekacz 
Sawicka 
Feduniewicz-Żmuda 
Nowakowski-Szkudlarek 
Wolny 
Mikosza 
Hajdel 
Żak 
Sławińska 
Chlipała 
Bharadwaj
Projekty
Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:
1. TeamTech
„Złącza tunelowe i ich zastosowanie dla optoelektroniki opartej o azotek galu”
2. NbN
"Monolithic integration of superconductors and semiconductors on nitride platform”
3. LIDER - towards green LDs
"Inżynieria pól elektrycznych oraz domieszkowania na typ p w heterostrukturach InGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową – rozwój zielonych diod azotkowych.”
4. LIDER - DFB LDs
“Nitride based distributted feedback laser diodes”
5. POWROTY
"Rozwój wysokiej jakości InAlN - droga do laserów azotkowych wolnych od naprężeń."
6. HOMING
"Polarity engineering in nitride heterostructures"
Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ
Galeria
Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:
W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).
Kontakt
Adres
Siedziba główna::
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa
Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa
komunikacja miejska:
PKP Koło - przystanek tramwajowy
PKP Koło - przystanek autobusowy
Telefon:
+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab
E-mail:
czeslaw@unipress.waw.pl