Laboratorium MBE

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

O nas

Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".

Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.

Aktualności

Obrony prac magisterskich Julii Sławińskiej i Natalii Fiuczek

09.09.2019 Julia Sławińska i Natalia Fiuczek obroniły z wyróżnieniem prace magisterskie realizowane w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN w naszym laboratorium. Badania były częścią projektów Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej: "Tunnel junction and its applications for GaN based optoelectronics" kierownego przez prof. Czesława Skierbiszewskiego oraz "Development of high quality InAlN – the road to strain-free nitride lasers" kierowanego przez dr inż. Martę Sawicką. Gratulujemy uzyskanych tytułów!

Nagroda dla Julii Sławińskiej za najlepszy plakat na konferencji 13th International Conference of Nitride Semiconductors"

24.07.2019 Julia Sławińska jest magistrantką w grupie prof. Czesława Skierbiszewskiego (NL 14) Instytutu Wysokich Ciśnień. Na konferencji przedstawiła plakat pt. "Arrays of Nitride MicroLEDs with Tunnel Junctions Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy". Laureatka jest zaangażowana w realizację projektu TEAM-TECH POIR.04.04.00-00-210C/16-00 Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej współfinansowanym przez środki Uni Europejskiej. Więcej informacji.

Obrona pracy magisterskiej Mikołaja Chlipała

16.07.2019 Gratulujemy obrony z wyróżnieniem mgr inż. Mikołaja Chlipały pracy pod tytułem "Mechanizmy elektroluminescencji w temperaturach kriogenicznych azotkowych diod ze złączami tunelowymi wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych". stypendyście Fundacji na rzecz Nauki Polskiej, studentowi w projekcie TEAM-TECH project.

Previous news

Ostatnio opublikowaliśmy:

1. Impact of the substrate lattice constant on the emission properties of InGaN/GaN short-period superlattices grown by plasma assisted MBE By: M. Siekacz, P. Wolny, T. Ernst, E. Grzanka, G. Staszczak, T. Suski, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Sawicka, J. Moneta, M. Anikeeva, T. Schulz, M. Albrecht, and C. Skierbiszewski, Superlattices and Microstructures 133, 106209 Published: July 2019
2. Unusual step meandering due to Ehrlich-Schwoebel barrier in GaN epitaxy on the N-polar surface By: H. Turski, F. Krzyżewski, A. Feduniewicz-Żmuda, P. Wolny, M. Siekacz, G. Muzioł, C. Cheze, K. Nowakowski-Szkudlarek, H. Xing, D. Jena, M. Załuska-Kotur, C. Skierbiszewski, Applied Surface Science 484, 771-780 Published: AUG 2019
3. Optical properties of III-nitride laser diodes with wide InGaN quantum wells By: G. Muzioł, M. Hajdel, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, S. Stańczyk, H. Turski, C. Skierbiszewski, Applied Physics Express 12, 072003 Published: JUNE 2019
4. Polarization control in nitride quantum well light emitters enabled by bottom tunnel-junctions By: H. Turski, S. Bharadwaj, H. Xing, D. Jena, Journal of Applied Physics 125, 203104 Published: MAY 2019
   
   Pełna lista publikacji
   Archiwum aktualności

Nasz zespół

Projekty

Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:

Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ

Galeria

Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:

W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).

Kontakt

Adres

Siedziba główna::
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa

Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa

komunikacja miejska:
PKP Koło - przystanek tramwajowy
PKP Koło - przystanek autobusowy

Telefon:

+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab

E-mail:

czeslaw@unipress.waw.pl