dr inż. Marcin Siekacz

Marcin Siekacz ukończył Politechnikę Wrocławską na Wydziale Elektroniki. Doktorat obronił w 2012 roku w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN pod kierunkiem prof. Czesława Skierbiszewskiego. Praca doktorska pt “Mechanizmy wzrostu oraz własności struktur GaN/AlGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową” dostępna jest TUTAJ. Marcin Siekacz jest ekspertem w dziedzinie epitaksji z wiązek molekularnych MBE. Wraz z profesorem Skierbiszewskim tworzył laboratorium MBE i wykonywał pierwsze wzrosty. Jest współautorem 78 publikacji naukowych. Po studiach doktoranckich odbył roczny staż w Berlinie w Paul-Drude Institut.
Do najważniejszych osiągnięć Marcina Siekacza należą:

Zainteresowania badawcze

Marcin Siekacz jest ekspertem w dziedzinie wzrostu epitaksjalnego GaN oraz wytwarzania azotkowych przyrządów optoelektronicznych i elektronicznych.


Kontakt

tel. +48 22 876 0444
lab. +48 22 876 0324
email: msiekacz@unipress.waw.pl