dr inż. Marta Sawicka

Marta Sawicka ukończyła studia na Wydziale Inżynierii Materiałowej Politechniki Warszawskiej. Doktorat obroniła w 2015 roku w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN pod kierunkiem prof. Czesława Skierbiszewskiego. Praca doktorska pt. “Mechanizmy wzrostu warstw GaN, InGaN oraz AlGaN na podłożach GaN o różnej orientacji krystalograficznej metodą epitaksji z wiązek molekularnych” dostępna jest TUTAJ. Jest współautorką ponad 40 publikacji naukowych. W latach 2012-2016 Marta Sawicka była kierownikiem projektu PRELUDIUM finansowanego przez Narodowe Centrum Nauki (NCN) pt. “Wpływ anizotropii kryształu GaN na właściwości warstw i struktur kwantowych InGaN i AlGaN o orientacji niepolarnej (10-10) i semipolarnej (20-21)”.
Do najważniejszych osiągnięć Marty Sawickiej należą:

Zainteresowania badawcze

Marta Sawicka jest ekspertem w dziedzinie epitaksji z wiązek molekularnych MBE warstw i struktur azotkowych. Zajmuje się badaniem morfologii powierzchni i właściwości strukturalnych różnymi metodami mikroskopowymi - AFM, TEM, SEM, OM. Bada mechanizmy wzrostu warstw GaN, InGaN, InAlN i AlGaN, ze szczególnym uwzględnieniem wpływu dezorientacji kryształu i polarności podłoża: galowej (0001), azotowej (000-1), semipolarnej (20-21) i niepolarnej (10-10). Współpracuje z firmą TopGaN w zakresie badań i rozwoju diod laserowych.

Marta Sawicka z przyjemnością opowiada o fizyce, a w szczególności o azotku galu:


Kontakt

tel. +48 22 876 0352
lab. +48 22 876 0324
email: sawicka@unipress.waw.pl