Aparatura

Charakteryzacja materiałów i przyrządów

Stanowisko do analizy wielkośći cząstek i potencjału zeta w układach ciekłych

Charakteryzacja materiałów i przyrządów

Stanowisko do analizy rozkładu cząstek w cieczy

Charakteryzacja materiałów i przyrządów

Stanowisko mikroskopii skaningowej

Charakteryzacja materiałów i przyrządów

Stanowisko do pomiaru gęstości helowej

Charakteryzacja materiałów i przyrządów

Stanowisko do pomiaru powierzchni właściwej

Charakteryzacja materiałów i przyrządów

Stanowisko do badań termograwimetrycznych

Charakteryzacja materiałów i przyrządów

Mikroskop optyczny Nikon

Wytwarzanie materiałów i struktur

Piła drutowa TAKATORI WSD‑K2 (SWS)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Reaktory do krystalizacji GaN metodą amonotermalną (zasadową), φ=120 (4 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Reaktory do krystalizacji GaN metodą amonotermalną (zasadową), φ=100 (12 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Reaktory do krystalizacji GaN metodą amonotermalną (zasadową), φ=60 (4 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Reaktory do krystalizacji GaN metodą amonotermalną (zasadową), φ=40 (2 szt.)