O Instytucie Wysokich Ciśnień PAN

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) jest wiodącym ośrodkiem badawczym w obszarze fizyki oraz inżynierii materiałowej, którego misją są najwyższej klasy badania naukowe ukierunkowane na praktyczne zastosowania.

Kluczowym narzędziem badawczym wykorzystywanym w Instytucie jest wysokie ciśnienie, stosowane zarówno do badania i modyfikacji właściwości materii, jak i do syntezy nowych materiałów. Uniwersalną rolę ciśnienia w fizyce i technologii odzwierciedla historyczna nazwa UNIPRESS, pod którą Instytut jest znany i rozpoznawalny w krajowym oraz międzynarodowym środowisku naukowym.

Instytut w liczbach

Rok założenia Instytutu

1972

Rok założenia Instytutu

Pracowników Instytutu

250+

Pracowników Instytutu

Samodzielnych naukowców

100+

Samodzielnych naukowców

Laboratoriów badawczych

13

Laboratoriów badawczych

Kadra i działalność dydaktyczna

Obecnie w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN pracuje około 250 osób, w tym:

  • 16 profesorów,
  • 18 doktorów habilitowanych,
  • około 70 doktorów.

Zespoły naukowe wspierane są przez inżynierów, technologów oraz zaplecze administracyjne.

Instytut posiada uprawnienia do nadawania stopni naukowych doktora i doktora habilitowanego w dyscyplinach nauki fizyczne oraz inżynieria materiałowa. Kształcenie doktorantów odbywa się w ramach Warszawskiej Szkoły Doktorskiej Nauk Ścisłych i BioMedycznych (Warsaw-4-PhD).

Lokalizacje i infrastruktura

Instytut Wysokich Ciśnień PAN prowadzi działalność badawczą w pięciu lokalizacjach:

  • ul. Sokołowska 29/37, Warszawa – siedziba główna; krystalizacja GaN metodą HVPE oraz wygrzewanie materiałów pod ultra-wysokim ciśnieniem (UHPA),
  • al. Prymasa Tysiąclecia 98, Warszawa – laboratoria badawcze, w tym cleanroomy dla półprzewodników i biomateriałów,
  • ul. Poleczki 19, Warszawa (CEZAMAT PW) – laboratorium promieniowania terahercowego (THz),
  • Stanisławów Pierwszy – krystalizacja GaN metodą ammonotermalną oraz wytwarzanie podłoży GaN,
  • Lasek, gmina Celestynów – Park Innowacyjny Unipress; technologie hydroekstruzji i magazynowania wodoru pod wysokim ciśnieniem.

Specjalizacje naukowe

Instytut Wysokich Ciśnień PAN jest liderem w badaniach nad półprzewodnikami azotkowymi, obejmujących:

  • krystalizację GaN,
  • przygotowanie podłoży,
  • epitaksję,
  • projektowanie i wytwarzanie przyrządów elektronicznych i optoelektronicznych.

Ponadto w Instytucie prowadzone są badania nad:

  • promieniowaniem terahercowym (THz),
  • materią miękką,
  • nadprzewodnikami,
  • nanomateriałami dla medycyny i weterynarii (m.in. hydroksyapatyt),
  • nowoczesnymi metodami obróbki metali,
  • aparaturą wysokociśnieniową stosowaną w badaniach i przemyśle.

Pozycja naukowa i współpraca

Infrastruktura badawcza Instytutu została wpisana na Polską Mapę Infrastruktury Badawczej jako:

  • Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN UNIPRESS”,
  • X-PressMatter – platforma badawcza dla wysokociśnieniowego przetwórstwa żywności i technologii szkieł.

Instytut posiada kategorię naukową A w dyscyplinach nauki fizyczne oraz inżynieria materiałowa. Wysoką jakość badań potwierdza fakt, że ośmiu badaczy IWC PAN znajduje się w rankingu TOP 2% najczęściej cytowanych naukowców świata (ranking Uniwersytetu Stanforda).

    Instytut Wysokich Ciśnień został założony w 1972 roku przez Polską Akademię Nauk. Inspirację i fundament działalności naukowej stanowiła szkoła fizyki półprzewodników prof. Leonarda Sosnowskiego, który podkreślał, że „ciśnienie otwiera szereg ciekawych możliwości badania materiałów półprzewodnikowych”.

    Początkowo grupa badawcza, kierowana przez prof. Sylwestra Porowskiego, funkcjonowała w strukturach Instytutu Fizyki PAN jako samodzielny Zakład Doświadczalny „UNIPRESS” (1972–1976). Kluczowym momentem w rozwoju było uzyskanie siedziby przy ul. Sokołowskiej 29/37 w Warszawie, co umożliwiło dalszy rozwój infrastruktury i badań.

    W kolejnych latach jednostka kilkukrotnie zmieniała status organizacyjny:

    • 1976–1982 – Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Wysokich Ciśnień „UNIPRESS” PAN
    • 1982–1992 – Zakład Wysokich Ciśnień PAN
    • 1992–2004 – Centrum Badań Wysokociśnieniowych PAN

    Od 2004 roku Instytut działa pod obecną nazwą: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk.

    Założyciel i dyrekcja

    Instytut Wysokich Ciśnień PAN jest nierozerwalnie związany z osobą profesora Sylwestra Porowskiego – założyciela i pierwszego dyrektora Instytutu. Profesor Porowski stworzył fundamenty rozwoju naukowego jednostki oraz był inspiratorem pionierskich badań wysokociśnieniowych, m.in.:

    • nad strukturą pasmową półprzewodników wąskoprzerwowych HgTe i InSb,
    • nad termodynamiką i krystalizacją azotku galu (GaN).

    Badania te otworzyły drogę do dynamicznego rozwoju Instytutu oraz jego międzynarodowej rozpoznawalności.

    Instytutem kierowali:

    • prof. Sylwester Porowski – dyrektor w latach 1972–2010,
    • prof. Izabella Grzegory – dyrektor w latach 2011–2022,
    • prof. Michał Boćkowski – dyrektor od 2023 roku.

    Historia Instytutu – oś czasu

    • 1972

      Powołanie Instytutu Wysokich Ciśnień PAN jako Zakładu Doświadczalnego „UNIPRESS” w strukturach Instytutu Fizyki PAN. Kierownictwo: prof. Sylwester Porowski.

    • 1976

      Uzyskanie siedziby przy ul. Sokołowskiej w Warszawie i statusu samodzielnej jednostki: Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Wysokich Ciśnień „UNIPRESS” PAN.

    • 1982

      Przekształcenie w Zakład Wysokich Ciśnień PAN. Intensywny rozwój aparatury wysokociśnieniowej i badań nad GaN.

    • 1992

      Powstanie Centrum Badań Wysokociśnieniowych PAN. Umocnienie pozycji międzynarodowej w fizyce półprzewodników.

    • 2004

      Przyjęcie obecnej nazwy: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk.

    • 2010

      Zakończenie kadencji dyrektorskiej prof. Sylwestra Porowskiego – założyciela i architekta rozwoju Instytutu.

    • 2011–2022

      Dyrekcja prof. Izabelli Grzegory. Rozwój technologii GaN, infrastruktury cleanroom i współpracy międzynarodowej.

    • 2023

      Objęcie funkcji dyrektora przez prof. Michała Boćkowskiego. Nowy etap rozwoju w kierunku energoelektroniki, technologii kwantowych i wdrożeń przemysłowych.