Projekty | Instytut Wysokich Ciśnień PAN

Projekty w toku
Zakończone

Supersieci na zrelaksowanych, porowatych podłożach GaN dla wydajnych czerwonych mikroLEDów o stabilnej długości fali emisji

Grzegorz Staszczak
Narodowe Centrum Nauki
Styczeń 2026 Styczeń 2030

Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych "GaN-Unipress"

Michał Boćkowski
Fundacja na rzecz Nauki Polskiej
Styczeń 2026 Grudzień 2029

Interdyscyplinarne badania nad integracją aktywnych i pasywnych elementów subterahercowych w jeden monolityczny obwód wykonany w zaawansowanej technologii azotkowej

Grzegorz Cywiński
Narodowe Centrum Nauki
Październik 2025 Wrzesień 2029

Wstępna ocena podejścia opartego na biosensorze do wykrywania przeciwciał ludzkich przeciwko immunopeptydom pochodzenia ptasiego w pneumopatii nadwrażliwościowej

Deepak Kala
Narodowe Centrum Nauki
Lipiec 2025 Czerwiec 2029

Epitaksja dwustronna: nowe podejście do integracji urządzeń półprzewodnikowych

Henryk Turski
Fundacja na rzecz Nauki Polskiej
Lipiec 2025 Czerwiec 2029

Polarytony magnonowo-plazmonowe: nowe kwazicząstki w ciele stałym

Marcin Białek
Narodowe Centrum Nauki
Kwiecień 2024 Kwiecień 2029

Nowatorskie nadprzewodzące cienkie warstwy na bazie żelaza – techniki wysokociśnieniowe, dynamika wirowa i charakterystyka granic ziaren

Shiv Singh
Narodowe Centrum Nauki
Kwiecień 2026 Marzec 2029

Źródła światła widzialnego następnej generacji wykorzystujące kryształy fotoniczne

Henryk Turski
Narodowe Centrum Nauki
Luty 2025 Luty 2029

Tlenkowe kontakty omowe z kryształami fotonicznymi dla wydajnych diod PCSEL opartych na GaN

Piotr Perlin
Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
Październik 2025 Wrzesień 2028

Optymalizacja wzrostu epitaksjalnego azotku niobu do zastosowań w elektronice nadprzewodzącej

Artur Lachowski
Narodowe Centrum Nauki
Sierpień 2025 Sierpień 2028

1
2
3
4
…
5
Następna

Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych "GaN-Unipress"

Michał Boćkowski
Krajowy Plan Odbudowy i Zwiększania Odporności
Styczeń 2024 Czerwiec 2026

Pozyskanie przewag azotowej polarności GaN dla emiterów światła opartych na azotkach grupy trzeciej

Henryk Turski
Narodowe Centrum Nauki
Czerwiec 2022 Czerwiec 2026

Pierwszy objętościowy kryształ AlGaN dla wydajnych emiterów promieniowania UV - przełamanie barier krystalizacji z wykorzystaniem zarodzi GaN o najwyższej jakości strukturalnej

Tomasz Sochacki
Narodowe Centrum Nauki
Czerwiec 2021 Czerwiec 2026

Badania in-situ relaksacji plastycznej warstw buforowych InGaN w celu zwiększenia limitów zawartyości indu w azotkowych warstwach epitaksjalnych

Julita Smalc-Koziorowska
Narodowe Centrum Nauki
Grudzień 2021 Czerwiec 2026

Zegary Atomowe w Rozmiarze Chipu

Henryk Turski
Komisja Europejska
Październik 2022 Marzec 2026

Badanie rozpuszczalności azotku galu w amonotermalnym roztworze zasadowym w różnych warunkach fizykochemicznych

Karolina Grabiańska
Narodowe Centrum Nauki
Styczeń 2022 Styczeń 2026

Krystalizacja z fazy gazowej objętościowego azotku galu domieszkowanego germanem

Kacper Paweł Sierakowski
Narodowe Centrum Nauki
Styczeń 2022 Styczeń 2026

Podstawy technologii epitaksjalnych struktur (AlGaIn)N na kształtowanych przestrzennie podłożach GaN do produkcji matryc laserowych emitujących światło w zakresie 520-540 nm do celów trójwymiarowej projekcji obrazów

Ewa Grzanka
Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
Styczeń 2022 Styczeń 2026

Oddziaływanie kulombowskie w układach dwuwarstwowych 2D: w kierunku niestabilności dwustrumieniowej dla emisji THz

Adil Rehman
Narodowe Centrum Nauki
Grudzień 2024 Grudzień 2025

Wpływ wybranych metod fragmentacji sonopokrywanych nanocząstkami włókien elektroprzędzonych na ich właściwości fizyko-chemiczne i cytokompatybilność

Julia Higuchi
Narodowe Centrum Nauki
Grudzień 2024 Grudzień 2025

1
2
3
4
…
8
Następna