Nowe generacje projektorów oparte są o diody laserowe: czerwone (na bazie (AlGaIn)(AsP)) oraz zielone i niebieskie (na bazie (AlGaIn)N). Projektory laserowe mają znacznie lepszą rozdzielczość przestrzenną i barwną, a w przyszłości zapewnią obrazy trójwymiarowe bez konieczności używania okularów. Trójwymiarowość jest realizowana poprzez emitery o nieco innych długościach fali, co pozwala na przestrzenne lekkie odchylenie każdej z laserowych wiązek. Jedną z unikatowych technologii wykonywania takich matryc jest zaproponowane przez Instytut Wysokich Ciśnień PAN kształtowanie przestrzenne czyli zmiany odorientowania powierzchni wzrostu od kierunku płaszczyzn krystalograficznych oraz małe wymiary pasków, dzięki czemu uzyskujemy różną przestrzennie inkorporację indu do studni kwantowych InGaN, emitujących fale w zakresie 380-550 nm.
Technologia matryc niebieskich (445-455 nm) została wdrożona w firmie TopGaN. Prezentowany Projekt ma na celu opracowanie podstaw technologii matryc emitujących w zakresie zielonym (520-540 nm). Technologicznie zakres ten jest trudniejszy od niebieskiego gdyż koncentracja indu musi być wyższa, ponad 25% w porównaniu z 15-20%. Temperatura wzrostu studni kwantowych musi być niższa, co powoduje małą ruchliwość powierzchniową atomów, złą morfologię powierzchni, inkorporację zanieczyszczeń (np. tlenu) i powstawanie defektów punktowych. Dlatego zielone emitery mają mniejsze efektywności w porównaniu z emiterami niebieskimi. Proponowany Projekt ma na celu opracowanie podstaw technologii epitaksji dla matryc zielonych diod laserowych na kształtowanych podłożach GaN. Optymalizacje dotyczyć będą wzrostu studni kwantowych InGaN oraz warunków wzrostu warstw typu p aby zapobiec rozkładowi studni kwantowych przy jednoczesnym zapewnieniu wysokiej koncentracji dziur. Realizacja Projektu powinna doprowadzić w ciągu trzech lat do wdrożenia wyników w firmie TopGaN i uruchomienia produkcji matryc zielonych laserów na podłożach GaN kształtowanych przestrzenie. |
