Wpisz poszukiwaną frazę

Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników

Laboratorium NL-12

Kierownik zespołu

Julita Smalc-Koziorowska

Tematyka badawcza

Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Zajmuje się charakteryzacją kryształów oraz warstw epitaksjalnych półprzewodników, a także innych materiałów, z wykorzystaniem różnorodnych metod badawczych, takich jak: mikroskopia elektronowa, dyfrakcja rentgenowska, spektroskopia głębokich poziomów (DLTS), mikroskopia sił atomowych oraz spektroskopia jonów wtórnych (SIMS). Stosowane techniki dostarczają informacji o jakości strukturalnej badanych materiałów oraz umożliwiają identyfikację występujących w nich defektów.

Aktualności

Wiemy więcej o ruchu dyslokacji o dużych wektorach Burgersa w materiałach InGaN/GaN
25/06/2026
Nauka i badania

Wiemy więcej o ruchu dyslokacji o dużych wektorach Burgersa w materiałach InGaN/GaN

Zobacz więcej
Pięć grantów NCN dla badaczy z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN w konkursach OPUS 30 i SONATA 21
12/06/2026
Nauka i badania
Ważne

Pięć grantów NCN dla badaczy z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN w konkursach OPUS 30 i SONATA 21

Zobacz więcej
IWC PAN na 2. Fińsko-Polskim Sympozjum Technologii Półprzewodników Azotkowych w Helsinkach
25/05/2026
Wydarzenia
Ważne

IWC PAN na 2. Fińsko-Polskim Sympozjum Technologii Półprzewodników Azotkowych w Helsinkach

Zobacz więcej
Praktyki wakacyjne w IWC PAN
15/05/2026
Komunikaty
Ważne

Praktyki wakacyjne w IWC PAN

Zobacz więcej
Zawód „naukowiec” i niezwykły kryształ GaN
30/04/2026
Wydarzenia

Zawód „naukowiec” i niezwykły kryształ GaN

Zobacz więcej
Zaproszenie do nadsyłania abstraktów - DRIP21
03/02/2026
Komunikaty

Zaproszenie do nadsyłania abstraktów - DRIP21

Zobacz więcej

Projekty realizowane

Optymalizacja wzrostu epitaksjalnego azotku niobu do zastosowań w elektronice nadprzewodzącej

  • Artur Lachowski
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Sierpień 2025 Sierpień 2028

Przewodzące struktury GaN/AlGaN/SiC do konstrukcji nowych generacji elektronicznych przyrządów wertykalnych

  • Michał Leszczyński
  • Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
  • Kwiecień 2025 Marzec 2028

Mechanizmy dyfuzji Al, Ga, In w trójwymiarowych strukturach kwantowych (AlGaIn)N

  • Michał Leszczyński
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Czerwiec 2023 Czerwiec 2027

Struktury kwantowe o bardzo szerokim spektrum emisji i zwiększonej intensywności emisji dla nowej generacji diod superluminescencyjnych InGaN/GaN

  • Grzegorz Staszczak
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Styczeń 2022 Styczeń 2027

Wakanse metalu, ich kompleksy i skupiska w półprzewodnikach azotkowych

  • Robert Czernecki
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Styczeń 2022 Styczeń 2027

Projekty zakończone

Badania in-situ relaksacji plastycznej warstw buforowych InGaN w celu zwiększenia limitów zawartyości indu w azotkowych warstwach epitaksjalnych

  • Julita Smalc-Koziorowska
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Grudzień 2021 Czerwiec 2026

Podstawy technologii epitaksjalnych struktur (AlGaIn)N na kształtowanych przestrzennie podłożach GaN do produkcji matryc laserowych emitujących światło w zakresie 520-540 nm do celów trójwymiarowej projekcji obrazów

  • Ewa Grzanka
  • Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
  • Styczeń 2022 Styczeń 2026

Nietypowa konfiguracja dyslokacji niedopasowania w układzie epitaksjalnym InGaN/GaN

  • Joanna Moneta
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Sierpień 2024 Sierpień 2025

Radiacyjne i nieradiacyjne defekty węglowe i wakanse w GaN

  • Piotr Kruszewski
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Styczeń 2021 Kwiecień 2025

Charakteryzacja in-situ dynamiki wzrostu warstw metodą MOVPE i mechanizmów dyfuzji w półprzewodnikach azotkowych i ich wpływ na optoelektroniczne własności struktur kwantowych InGaN/AlGaN/GaN

  • Michał Leszczyński
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Styczeń 2020 Styczeń 2025

Dyfuzja 3D domieszek w GaN - mechanizm i rola defektów

  • Michał Leszczyński
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Luty 2020 Maj 2024

Rozpraszanie dyfuzyjne promieniowania rentgenowskiego od lokalnych niejednorodności InGaN- weryfikacja eksperymentalna modelu teoretycznego

  • Michał Leszczyński
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Styczeń 2019 Grudzień 2023

Ultrafioletowe diody laserowe na bazie AlGaInN/GaN

  • Robert Czernecki
  • Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
  • Listopad 2019 Październik 2023

Wpływ defektów na własności przyrządów elektronicznych na bazie GaN

  • Michał Leszczyński
  • Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
  • Wrzesień 2020 Lipiec 2023

Mechanizm domieszkowania tlenem cienkich warstw GaN za pomocą napylania magnetronowego i analiza formowania kontaktu omowego z wysokodomieszkowaną warstwą podkontaktową n-GaN:O do n-GaN i tranzystorów AlGaN/GaN HEMT

  • Monika Masłyk
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Październik 2021 Luty 2023

Błędy ułożenia w strukturze wurcytu jako źródła dyslokacji przechodzących w azotkowych heterostrukturach epitaksjalnych

  • Julita Smalc-Koziorowska
  • Narodowe Centrum Nauki
  • Marzec 2017 Marzec 2022

Wpływ defektów punktowych na rozkład studni kwantowych InGaN w technologii laserów i diod elektroluminescencyjnych emitujących w obszarze niebieskim i zielonym

  • Michał Leszczyński
  • Fundacja na rzecz Nauki Polskiej
  • Wrzesień 2017 Maj 2021

Badania i nauka