Tytuł: Nietypowa konfiguracja dyslokacji niedopasowania w układzie epitaksjalnym InGaN/GaN
Kierownik projektu: Joanna Moneta
Laboratorium: Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników (NL-12)
Nazwa konkursu, programu: MINIATURA
Numer projektu: 2024/08/X/ST11/00274
Data realizacji: 08.08.2024 08.08.2025
Podmiot realizujący: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Typ realizacji projektu: Projekt realizowany samodzielnie
Przyznane środki ogółem: 49 984 zł
Przyznane środki dla podmiotu: 49 984 zł
Instytucja finansująca: Narodowe Centrum Nauki

Opis projektu

Warstwy o dużej zawartości są obecnie gorącym tematem w badaniach półprzewodników azotkowych i IWC PAN, jako jeden z wiodące ośrodki badawcze zajmujące się półprzewodnikami azotkowymi, zajęły się już niektórymi aspektami ich właściwości oraz technologię wzrostu takich struktur epitaksjalnych. W IWC  zrealizowano dwa projekty dotyczące zrelaksowanych warstw InGaN, oba we współpracy z grupą dr Martina Albrechta z IKZ w ​​Berlinie. W latach 2015-1018 badania UE Horyzont 2020 i program innowacyjny w ramach umowy o grant Marie Skłodowska-Curie nr 642574 „Krótki okres Przeprowadzono badania supersieci dla racjonalnej (In,Ga)N” SPRInG. Joanna Moneta – osoba realizująca zadanie w bieżącym wniosku uczestniczyliśmy jako badacz na wczesnym etapie rozwoju. Projekt ten skupiał się na krótkookresowym InGaN/GaN supersieci. Aby osiągnąć wyższy pobór indu w studniach kwantowych, przetestowano zrelaksowane warstwy buforowe InGaN. W ramach tego projektu przeprowadzono wstępne prace nad siecią dyslokacji niedopasowanych – jaki był rodzaj dyslokacji niedopasowanych określony. Obecnie realizowany jest kolejny projekt poświęcony badaniom warstw o ​​dużej zawartości In-treści i ich mechanizmowi relaksacji
zrealizował (rozpoczęty w 2021 r.) projekt OPUS-LAP UMO-2020/39/I/ST5/03379 „Badania in-situ relaksacji plastycznej w InGaN bufory służące jako substraty do pokonywania barier włączenia prądu w warstwach epitaksjalnych o wysokiej zawartości azotków”.
Projekt ten koncentruje się na analizie dynamiki ruchu dyslokacyjnego poprzez obserwacje in-situ. Kolejne zadanie
polega na badaniu właściwości optycznych struktur hodowanych na zrelaksowanym InGaN. Badania objęte niniejszym wnioskiem będą skoncentruj się na innych aspektach mechanizmu relaksacji odkształceń, tj. zjawisku rotacji dyslokacji niedopasowanej i dyslokacji analizę struktury rdzenia, które nie zostały uwzględnione w innych projektach badawczych realizowanych w IHPP.
Powrót do listy projektów