| Tytuł: | Ultrafioletowe diody laserowe na bazie AlGaInN/GaN |
| Kierownik projektu: | Robert Czernecki |
| Laboratorium: | Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników (NL-12) |
| Nazwa konkursu, programu: | LIDER |
| Numer projektu: | LIDER/23/0129/L-10/18/NCBR/2019 |
| Data realizacji: | 01.11.2019 31.10.2023 |
| Podmiot realizujący: | Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk |
| Typ realizacji projektu: | Projekt realizowany samodzielnie |
| Przyznane środki ogółem: | 1 499 125 zł |
| Przyznane środki dla podmiotu: | 1 499 125 zł |
| Instytucja finansująca: | Narodowe Centrum Badań i Rozwoju |
Opis projektu
| Celem podstawowym projektu jest opracowanie podstaw technologii wykonywania diod laserowych emitujących światło w zakresie 365-375 nm (ultrafioletowe) na bazie półprzewodników azotkowych. Osiągnięcie tego celu będzie wymagało wykonania badań prowadzących do zrozumienia wpływu warunków wzrostu epitaksjalnego metodą MOVPE (metalorganic vapour phase epitaxy) na mikrostrukturę warstw AlGaInN oraz na ich własności optyczne i elektryczne. Wykonanie działającego demonstratora będzie dodatkowo wymagało opracowania technologii: a) kształtowania przestrzennego podłoża w celu ograniczenia pękania warstw epitaksjalnych, b) nakładania warstw luster niedegradujących się pod wpływem promieniowania UV. Wyniki badań będą komercjalizowane w firmie TopGaN. |