Naukowcy z IWC PAN wezmą udział w konferencji IWN 2026 w Kumamoto

Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN, Unipress) będzie licznie reprezentowany na konferencji International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026), która odbędzie się w dniach 8–13 listopada 2026 r. w Kumamoto (Japonia).

Badacze z Instytutu są autorami lub współautorami wystąpień zaproszonych, referatów ustnych i prezentacji posterowych obejmujących najważniejsze kierunki współczesnych badań nad azotkami III grupy. Będziemy mówić o wzroście objętościowych kryształów GaN i AlGaN, technologii HVPE i ammonotermalnej, defektach i domieszkowaniu, obróbce pod ultrawysokim ciśnieniem, heterostrukturach i emiterach InGaN, a także laserach azotkowych, mikro-LED-ach oraz przyrządach mocy. 

Zaproszone wykłady wygłoszą:

• Prof. dr hab. inż. Michał Boćkowski - “From Bulk GaN to Quantum and Power Devices: Crystals, Epitaxy, and Extreme Processing”
• Dr hab. inż. Grzegorz Muzioł - “Efficient Wide InGaN Quantum Wells: From Physics to Technology”

Referaty ustne (18)

• GR1-3, „Comparison of Implanted Be, Mg and Mn Acceptors in GaN after Ultra-High Pressure Annealing” - Wojciech Bartosz Jasłowski, Krzysztof Gołyga, Kacper Sierakowski, Ewa Grzanka, Michał Fijałkowski, Marcin Zając, Robert Kucharski, Tomasz Sochacki, Michał Boćkowski.
• GR1-4, „From Single to Double-Sided Growth: Mg-Mediated Bonding of Ammonothermal GaN Seeds” - Krzysztof Gołyga, Paweł Kwiatkowski, Artur Lachowski, Ewa Grzanka, Petro Sadovyi, Paweł Prystawko, Michał Fijałkowski, Robert Kucharski, Tomasz Sochacki, Michał Boćkowski.
• GR1-5, „Linking Flow Regulation and Supersaturation in Industrial Ammonothermal GaN Growth” - Marek Żak, Michał Boćkowski.
• GR4-2, „Effects of Substrate Miscut on Growth Instabilities in Homoepitaxially Grown GaN/AlGaN System” - Robert Kucharski, Tomasz Sochacki, Michał Boćkowski.
• ED4-6, „Slow Trap Limited Reliability in AlGaN Vertical FinFETs with Bilayer Gate Oxide” - Paweł Prystawko, Izabella Grzegory.
• GR6-2, „Influence of Substrate Type and Growth Method on Magnesium and Silicon Diffusion in GaN/AlGaN/InGaN Heterostructures” - Ewa Aleksandra Grzanka, Mikołaj Grabowski, Roman Hrytsak, Artur Lachowski, Robert Czernecki, Michał Leszczyński.
• GR6-3, „Alloy-Dependent Diffusion of Si and Mg in III-Nitride Heterostructures: Experimental and First-Principles Investigation” - Roman Hrytsak, Mikołaj Grabowski, Paweł Michałowski, Karol Kawka, Paweł Kempisty, Robert Czernecki, Michał Leszczyński, Ewa Grzanka.
• GR6-5, „Donor Diffusion in GaN: A DFT Study” - Karol Kawka, Paweł Kempisty.
• GR6-6, „Defect-Optical Property Correlations in N-Polar GaN LEDs by Plasma-Assisted MBE” - Karolina Anna Peret-Malessa, Anna Nowakowska-Szkudlarek, Artur Lachowski, Henryk Turski.
• GR7-6, „Challenges in Bulk Crystallization of AlGaN: Toward Native Substrates” - Tomasz Sochacki, Robert Kucharski, Michał Boćkowski.
• OD5-7, „Electrochemical Etching for Seamless Micro-Transfer Printing of InGaN LEDs” - Mikołaj Chlipała, Iryna Levchenko, Krzysztof Gibasiewicz, Tara Brstilo, Maximilien Billet, Natalia Fiuczek, Marta Sawicka, Henryk Turski.
• OD6-6, „Directional Growth of hBN from a 10 at.% B–Ni Solution under N₂-Pressure-Controlled Thermodynamic Conditions” - Petro Sadovyi, Bohdan Sadovyi, Agata Kamińska, Grzegorz Nowak, Stanisław Krukowski, Sylwester Porowski, Izabella Grzegory.
• OD8-3, „III-Nitride Laser Diode Stacks Interconnected with Tunnel Junctions: From Pulsed to Continuous-Wave Operation” - Pragya Parasar, Mateusz Hajdel, Marcin Siekacz, Anna Nowakowska-Szkudlarek, Mikołaj Żak, Grzegorz Muzioł.
• OD8-5, „Benefits of Air-Claddings for Nitride Laser Diodes” - Oliwia Gołyga, Mateusz Hajdel, Henryk Turski, Mikołaj Chlipała, Anna Feduniewicz, Marcin Siekacz, Szymon Stańczyk, Czesław Skierbiszewski, Grzegorz Muzioł, Marta Sawicka.
• OD9-2, „When Tunnel Junctions Meet Wide Quantum Wells: Unusual Dynamics in InGaN Laser Diodes” - Mateusz Hajdel, Grzegorz Muzioł.
• GR12-3, „Statistical Atomistic Modeling of Al-Rich AlGaN(0001) Surfaces under MOVPE Growth Conditions” - Paweł Kempisty.
• ED11-4, „Field Emission from Crystal-Field Split-Off Band in Metal/p-GaN Interface: The Dominant Transport Mechanism of p-GaN Ohmic Contact” - Karolina Peret, Mikołaj Chlipała, Henryk Turski.
• GR14-4, „Effect of Lateral Patterning on Decomposition of the InGaN Quantum Wells” - Mike Leszczyński, Ewa Grzanka, Szymon Grzanka, Mikołaj Grabowski, Robert Czernecki.
  

Prezentacje posterowe (21)

• MoP-GR-24, „Toward the Solubility Limits of GaN in Ammonothermal Alkaline Solutions” - Karolina Grabiańska, Robert Kucharski, Paweł Kempisty, Tomasz Sochacki, Michał Boćkowski.
• MoP-CH-4, „Characterization of Point Defects in p-GaN Layers Grown by PA-MBE Measured by Deep Level Transient Fourier Spectroscopy” - Karolina Peret, Mikołaj Chlipała, Henryk Turski.
• MoP-CH-16, „Field-Induced Modulation of Absorption in Waveguides with InGaN Quantum Well Active Region” - Piotr Perlin, Anna Kafar.
• MoP-OD-10, „Decoupling Strain Relaxation from Surface Recombination in QWs Grown on Controllable Lattice Constant Substrates for Long Wavelength InGaN/GaN Micro-LEDs” - Grzegorz Staszczak, Krzysztof Gibasiewicz, Marta Sawicka, Ewa Grzanka, Oliwia Gołyga, Marcin Siekacz, Mateusz Hajdel, Joanna Moneta, Grzegorz Muzioł, Piotr Perlin.
• MoP-OD-33, „Engineering InGaN Quantum-Well Structures for Optically Pumped Green VECSELs” - Łucja Marona, Szymon Grzanka, Agata Bojarska-Cieślińska, Piotr Perlin.
• TuP-GR-38, „Thermodynamically Stable Faceting of GaN Nanowires Grown Selectively by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy” - Mikołaj Żak, Oliwia Gołyga, Mateusz Słowikowski, Paweł Wolny, Filip Dobiegała, Krzysztof Gibasiewicz, Ania Feduniewicz, Czesław Skierbiszewski.
• TuP-CH-13, „Characterization of Effective Acceptor Concentration in Buried p-Type Body Layer in n-p-n Gallium Nitride Structure for Trench-MOSFET Manufacturing Technology” - Paweł Prystawko.
• TuP-CH-30, „A Synergistic CFD and Experimental Approach to Optimize HVPE GaN Growth Processes” - Marek Żak, Karol Pożyczka, Wojciech Jasłowski, Tomasz Sochacki, Paweł Kempisty, Michał Boćkowski.
• TuP-CH-40, „Electrically Active Dislocation Tails at Threading Mixed Dislocations in Highly n-Type HVPE-GaN” - Magdalena Alicja Zając, Kacper Sierakowski, Leszek Konczewicz, Jan Leszek Weyher, Tomasz Sochacki.
• TuP-OD-2, „Revisiting the Origin of Optical Linewidth in InGaN Quantum Wells” - Łucja Marona, Szymon Grzanka, Robert Czernecki, Ewa Grzanka, Przemysław Wiśniewski, Piotr Perlin.
• TuP-OD-5, „GIBAS: A Multiphysics Boundary Analysis Simulator for Sidewall Characterization in GaN/InGaN Devices” - Krzysztof Gibasiewicz, Grzegorz Staszczak, Ewa Grzanka, Szymon Grzanka, Piotr Perlin.
• TuP-OD-6, „Towards InGaN Micro-LEDs Fabricated on Patterned Substrates” - Adam Brejnak, Krzysztof Gibasiewicz, Jacek Kacperski, Łucja Marona, Szymon Grzanka, Piotr Perlin, Anna Kafar.
  TuP-OD-7, „Simulation of Lateral Carrier Diffusion in GaN-Based Circular Micro-LEDs” - Sooraj Nhaloor, Grzegorz Muzioł.
• TuP-OD-15, „Quantum-State and Multi-Emitter Engineering for Broadband Emission in InGaN/GaN SLDs” - Grzegorz Staszczak, Szymon Stańczyk, Grzegorz Muzioł, Anna Kafar, Szymon Grzanka, Ewa Grzanka, Joanna Moneta, Piotr Perlin.
• TuP-OD-26, „Blue and Green InGaN Emitters Grown on Ribs” - Szymon Grzanka, Mikołaj Grabowski, Robert Czernecki, Roman Hrytsak, Anna Nowakowska-Szkudlarek, Iryna Makarowa, Agnieszka Sarzyńska, Robert Jachymek, Krzysztof Gibasiewicz, Katarzyna Piotrowska-Wolińska, Ewa Grzanka, Piotr Perlin.
• TuP-ED-10, „Fabrication and Characterization of Vertical GaN P-i-N Diodes with Ring-Assisted Step-Etched Junction Termination Extension” - Paweł Prystawko, Michał Boćkowski.
• ThP-GR-14, „Effect of Threading Dislocations on Implanted Acceptor Dopant Diffusion in GaN” - Mikołaj Amilusik, Wojciech Jasłowski, Krzysztof Gołyga, Magdalena Alicja Zając, Tomasz Sochacki.
• ThP-GR-34, „The Influence of Growth Rate and NH₃ Flow on the Thermal Stability of Quantum Wells Deposited by MOVPE Method” - Robert Czernecki, Ewa Grzanka, Mikołaj Grabowski, Artur Lachowski, Szymon Grzanka, Mike Leszczyński.
• ThP-CH-7, „Characterization of the Honeycomb Defects in Am-GaN and HVPE-GaN” - Magdalena Alicja Zając, Leszek Konczewicz, Jan Leszek Weyher, Wojciech Jasłowski, Tomasz Sochacki.
• ThP-CH-11, „Contactless Electroreflectance Spectroscopy of Built-In Electric Field and Charge Transfer at the NiO/GaN Heterointerface” - Paweł Prystawko, Michał Boćkowski, Izabella Grzegory.
• ThP-CH-20, „BeGaBeGa Pair as the Shallowest Acceptor in GaN: Pathway for p-Type Wide-Bandgap Semiconductors” - Marcin Zając.
• ThP-OD-29, „Hidden Role of Oxygen-Related Point Defects in the Degradation of InGaN Laser Diodes” - Piotr Perlin, Agata Bojarska-Cieślińska, Łucja Marona, Szymon Grzanka, Szymon Stańczyk, Grzegorz Staszczak, Anna Kafar.

Konferencja IWN należy do najważniejszych światowych wydarzeń naukowych poświęconych półprzewodnikom azotkowym, gromadząc czołowych badaczy oraz przedstawicieli przemysłu z całego świata.

Program pokazuje zarówno szerokość kompetencji Instytutu, jak i jego udział w międzynarodowych zespołach badawczych, m.in. z partnerami z Japonii, Niemiec, Francji, Szwecji, Finlandii, Stanów Zjednoczonych i Ukrainy. Wystąpienia dotyczą całego łańcucha rozwoju materiałów azotkowych: od modelowania atomistycznego i kontroli wzrostu kryształów, przez analizę defektów i właściwości optyczno-elektrycznych, po demonstrację struktur przyrządowych.

Pełen program i inne informacje o konferencji na stronie IWN2026.