IWC PAN na 2. Fińsko-Polskim Sympozjum Technologii Półprzewodników Azotkowych w Helsinkach

W Helsinkach odbyło się w dniach 19-20.05.2026 dwudniowe spotkanie poświęcone najnowszym osiągnięciom w dziedzinie półprzewodników azotkowych - 2nd Finnish-Polish Symposium on Nitride Semiconductor Science and Technology.

Sympozjum było okazją do podsumowania wieloletniej współpracy polsko-fińskiej w obszarze badań nad materiałami azotkowymi, której początki sięgają wspólnych badań defektów w objętościowych kryształach GaN prowadzonych z wykorzystaniem metod pozytronowych.

W programie spotkania znalazły się prezentacje dotyczące zarówno podstaw fizyki półprzewodników azotkowych, jak i rozwoju technologii materiałowych, charakteryzacji struktur, przyrządów półprzewodnikowych, transferu technologii oraz możliwości skalowania rozwiązań w kierunku zastosowań przemysłowych. Szczególne miejsce zajęły tematy związane z rozwojem europejskiego ekosystemu półprzewodników oraz nowymi inicjatywami badawczo-rozwojowymi.

Instytut Wysokich Ciśnień PAN od lat rozwija kompleksowe kompetencje w obszarze technologii azotkowych - od wzrostu objętościowych kryształów GaN i wytwarzania podłoży, przez charakteryzację materiałów, struktur i przyrządów elektronicznych oraz optoelektronicznych. Udział przedstawicieli IWC PAN w sympozjum był okazją do zaprezentowania dorobku Instytutu, wymiany doświadczeń z partnerami z Finlandii oraz rozmów o kierunkach dalszej współpracy.

Uczestnicy sympozjum mieli również możliwość odwiedzenia infrastruktury badawczej Uniwersytetu Helsińskiego, w tym laboratoriów wspierających zaawansowane badania materiałowe. Wydarzeniu towarzyszyło także spotkanie w Ambasadzie RP w Helsinkach z udziałem Ambasadora RP w Finlandii, Pana Tomasza Chłonia, poświęcone znaczeniu współpracy naukowej i technologicznej w relacjach polsko-fińskich.

Serdecznie dziękujemy organizatorom, partnerom z Finlandii i Polski oraz Ambasadzie RP w Helsinkach za inspirujące rozmowy i stworzenie przestrzeni do dalszego rozwijania współpracy w obszarze półprzewodników azotkowych.