| Nazwa: | 2026 E-MRS Fall Meeting & Exhibit |
| Organizatorzy: | Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej |
| Przewodniczący konferencji: | Sympozja A, E i J są współorganizowane przez naukowców z IWCPAN |
| Data: | 14 wrz 2026 17 wrz 2026 |
| Miejsce: | Warszawa |
| Typ: | Konferencja w formule stacjonarnej |
Opis konferencji
Tegoroczna konferencja E-MRS Fall Meeting & Exhibit odbędzie się na Politechnice Warszawskiej w dniach 14–17 września 2026 r.
Naukowcy z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN są zaangażowani w organizację trzech sympozjów o szczególnym znaczeniu dla społeczności zajmującej się półprzewodnikami szerokopasmowymi i azotkowymi:
- Symposium A: New frontiers in wide-bandgap semiconductors and heterostructures for electronics, optoelectronics and sensing – III
- Symposium E: Wide and ultra-wide-bandgap semiconductors challenges: from materials to applications
- Symposium J: Emerging nitride materials with novel combinations of functional properties – fundamental properties, crystallization, and prospective applications
Wszystkie te sympozja stworzą prestiżowe forum poświęcone GaN, AlN, AlGaN, BN, SiC, Ga₂O₃, hodowli kryształów objętościowych, epitaksji, defektom, charakterystyce, urządzeniom mocy i RF, optoelektronice, czujnikom oraz nowym materiałom azotkowym. Co ważne, sympozjum J jest współorganizowane przez profesora Hiroshi Amano z Uniwersytetu w Nagoi, laureata Nagrody Nobla w dziedzinie fizyki, co dodatkowo podkreśla naukowy prestiż i międzynarodową atrakcyjność tego tematu.
Termin nadsyłania abstraktów: 9 czerwca 2026 r.
Zapraszamy do nadsyłania abstraktów oraz udziału w tym wydarzeniu naukowym!
