| Organizacja: |
Instytut Wysokich Ciśnień PAN |
| Tytuł pracy: |
Polarization Doping as a Method to Improve the Properties of InGaN-Based Laser Diodes and Light-Emitting Diodes |
| Laboratorium: |
NL-2 |
| Typ pracy: |
Doktorat |
| Dziedzina nauki: |
Nauki ścisłe i przyrodnicze |
| Język pracy: |
Angielski |
| Promotor: |
prof. dr hab. Piotr Perlin (IWC PAN) |
| Promotor pomocniczy: |
dr inż. Anna Kafar (IWC PAN) |
| Recenzenci: |
Prof. Dr. Dr. Oliver Ambacher (Albert Ludwigs University Freiburg, Niemcy), Prof. Åsa Haglund (Chalmers University of Technology, Szwecja), prof. dr hab. Krzysztof Korona (Uniwersytet Warszawski) |
| Data obrony: |
12.04.2026, godzina 12:10 |
| Miejsce obrony: |
WC PAN, Sokołowska 29/37, Warszawa oraz przez plaftormę Zoom |