Aparatura

Wytwarzanie materiałów i struktur

Reaktory do krystalizacji GaN metodą amonotermalną (zasadową), φ=120 (4 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Reaktory do krystalizacji GaN metodą amonotermalną (zasadową), φ=100 (12 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Reaktory do krystalizacji GaN metodą amonotermalną (zasadową), φ=60 (4 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Reaktory do krystalizacji GaN metodą amonotermalną (zasadową), φ=40 (2 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Reaktory do krystalizacji GaN metodą amonotermalną (zasadową), φ=20 (5 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Komory rękawicowe wysokiej czystości MBRAUN (2 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Polerki CMP (4 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Piła drutowa TAKATORI WSD‑K2 (SWS)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Piła drutowa DWT – typ MES (2 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Piła drutowa DWT – typ SWS (2 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Polerki stołowe LAM PLAN (8 szt.)

Wytwarzanie materiałów i struktur

Centrum obróbcze CNC R1000 "Baca" (2 szt.)