Celem projektu jest zwiększenie wydajności niebieskich i niebiesko-fioletowych diod laserowych opartych na GaN poprzez wprowadzenie nowego rodzaju kontaktów z zastosowaniem przezroczystego tlenku przewodzącego o dopasowanej przerwie energetycznej, ZnMgO:Al, oraz inżynierii międzypowierzchni kontaktu. Opracowane zostaną struktury kontaktowe pozwalające na pokonanie standardowych barier związanych z formowaniem kontaktów omowych w wertykalnych przyrządach opto/elektronicznych opartych na GaN. W szczególności opracowane struktury pozwolą na zwiększenie wydajności przyrządów poprzez utworzenie stabilnych kontaktów omowych zarówno do powierzchni typu n oraz p, jednocześnie stanowiących metalizację oraz falowód dla warstw p-GaN. Co więcej, kontakty te zostaną wytworzone z zastosowaniem uproszczonej integracji procesowej i z uwzględnieniem oszczędności stosowania metali rzadkich.
Kroki technologiczne opracowane w projekcie zostaną ostatecznie zintegrowane w demonstrator diody laserowej w obudowie, a technologia zostanie przygotowana do wdrożenia na linii produkcyjnej jednego z członków konsorcjum, co umożliwi produkcję bardziej wydajnych energetycznie diod dla przemysłu samochodowego, wyświetlaczy, spawania czy kształtowania wzorów przy obniżonych kosztach oraz odpowiedzialnej gospodarce zasobami. |
