Projekt LIDER
„Inżynieria pól elektrycznych oraz domieszkowania na typ p w heterostrukturach InGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową – rozwój zielonych diod azotkowych”

Opis programu

Program LIDER finansowany jest przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju. Program ten kierowany jest do młodych naukowców, którzy mają zdobyć doświadczenie w kierowaniu projektu badawczego oraz podnieść swoje kompetencje w samodzielnym budowaniu, zarządzaniu oraz kierowaniu własnym zespołem badawczym. Program służy także stymulowaniu współpracy naukowców z przedsiębiorcami, poprzez realizację badań o potencjale wdrożeniowym i komercjalizacyjnym.

Wartość projektu: 1 196 500,00 PLN
Wartość dofinansowania: 1 196 500,00 PLN
Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w ramach programu LIDER.


Cel projektu

Projekt ma na celu opracowanie sposobu wytwarzania zielonych diod półprzewodnikowych opartych o kryształy azotku galu. Do realizacji celu wykorzystane zostaną poszerzone możliwości epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową (z ang. PAMBE), które do tej pory pozwoliły już na wytworzenie diod laserowych pracujących w fioletowym, niebieskim oraz cyjanowym obszarze widma. Zastosowanie efektywnego źródła azotu opracowanego niedawno przez producentów reaktorów PAMBE pozwoli na przesunięcie emisji światła w zielony obszar widma.


Zespół badawczy

Zespół badawczy projektu LIDER:

dr Henryk Turski
dr inż. Marta Sawicka
mgr inż. Krzesimir Nowakowski-
Szkudlarek
Shyam
Bharadwaj
inż. Mikołaj
Chlipała


























Publikacje

Projekt realizowany w latach 2017-2020

W ramach prac nad projektem opublikowane następujące prace:

[1] "Optical properties of III-nitride laser diodes with wide InGaN quantum wells", G. Muziol, M. Hajdel, M. Siekacz, K. Szkudlarek, S. Stanczyk, H. Turski, C. Skierbiszewski, Applied Physics Express, 12 (2019) 072003

[2] "Beyond Quantum Efficiency Limitations Originating from the Piezoelectric Polarization in Light-Emitting Devices", G. Muziol, H. Turski, M. Siekacz, K. Szkudlarek, L. Janicki, M. Baranowski, S. Zolud, R. Kudrawiec, T. Suski, C. Skierbiszewski, Acs Photonics, 6 (2019) 1963-1971.

[3] "Polarization control in nitride quantum well light emitters enabled by bottom tunnel-junctions", H. Turski, S. Bharadwaj, H. Xing, D. Jena, Journal of Applied Physics, 125 (2019) 203104.

[4] "Nitrogen-rich growth for device quality N-polar InGaN/GaN quantum wells by plasma-assisted MBE", H. Turski, A. Feduniewicz-Żmuda, M. Sawicka, A. Reszka, B. Kowalski, M. Kryśko, P. Wolny, J. Smalc-Koziorowska, M. Siekacz, G. Muzioł, K. Nowakowski-Szukudlarek, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, Journal of Crystal Growth, 512 (2019) 208-212.

[5] „Stack of two III-nitride laser diodes interconnected by a tunnel junction”, M. Siekacz, G. Muziol, M. Hajdel, M. Żak, K. Nowakowski-Szkudlarek, H. Turski, M. Sawicka, P. Wolny, A. Feduniewicz-Żmuda, S. Stanczyk, J. Moneta, C. Skierbiszewski, wydawnictwo Optical Society of America, Optics Express 27 (2019) 5784–5791.

[6] „Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, G Muziol, M Siekacz, K Nowakowski-Szkudlarek, M Hajdel, J Smalc-Koziorowska, A Feduniewicz-Żmuda, E Grzanka, P Wolny, H Turski, P Wiśniewski, P Perlin, C Skierbiszewski, wydawnictwo Pergamon, Materials Science in Semiconductor Processing 91 (2019) 387-391.

[7] „Nitrogen-rich Growth for Device Quality N-polar InGaN/GaN Quantum Wells by Plasma-Assisted MBE”, Henryk Turski, Anna Feduniewicz-Żmuda, Marta Sawicka, Anna Reszka, Bogdan Kowalski, Marcin Kryśko, Paweł Wolny, Julita Smalc-Koziorowska, Marcin Siekacz, Grzegorz Muzioł, Krzesimir Nowakowski-Szukudlarek, Szymon Grzanka, Czeslaw Skierbiszewski, wydawnictwo North-Holland, Journal of Crystal Growth 512 (2019) 208-212.

[8] „Tunnel junctions for two-color nitride light emitting diodes and laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, C Skierbiszewski, H Turski, M Zak, K Nowakowski-Szkudlarek, G Muziol, M Siekacz, A Feduniewicz-Zmuda, M Sawicka, wydawnictwo IEEE, 76th Device Research Conference (DRC) (2018).

[9] „True-blue laser diodes with tunnel junctions grown monolithically by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Czeslaw Skierbiszewski, Grzegorz Muziol, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Henryk Turski, Marcin Siekacz, Anna Feduniewicz-Zmuda, Anna Nowakowska-Szkudlarek, Marta Sawicka, Piotr Perlin, wydawnictwo IOP Publishing, Applied Physics Express 11 (2018) 034103.