| Nazwa: | Oprogramowanie pmicro do symulacji struktur półprzewodnikowych |
| Osoba kontaktowa: | dr Konrad Sakowski konrad.sakowski@unipress.waw.pl |
| Laboratorium: | NL-2 |
| Lokalizacja: | Sokołowska 29/37, Warszawa |
Możliwości badawcze i dane techniczne
Zaawansowane narzędzie symulacyjne oparte na jednowymiarowym modelu dryfowo-dyfuzyjnym, wykorzystujące nieciągłą metodę Galerkina (DG) oraz solver Newtona. Program dedykowany jest do analizy właściwości elektrycznych przyrządow optoelektronicznych (LED, diody laserowe) bazujących na azotku galu (GaN) i materiałach pokrewnych. Umozliwia wyznaczanie rozkładow potencjału elektrostatycznego, gęstości nośnikow, poziomow quasi-Fermiego oraz prądow. Pozwala na modelowanie rekombinacji promienistej i niepromienistej przy wzbudzeniu napięciowym lub laserowym.