| Title: | Mechanizm domieszkowania tlenem cienkich warstw GaN za pomocą napylania magnetronowego i analiza formowania kontaktu omowego z wysokodomieszkowaną warstwą podkontaktową n-GaN:O do n-GaN i tranzystorów AlGaN/GaN HEMT |
| Project leader: | Monika Masłyk |
| Laboratory: | Laboratory of Semiconductor Characterization (NL-12) |
| Call/Programme name: | PRELUDIUM |
| Project number: | 2018/31/N/ST7/03624 |
| Implementation date: | 01.10.2021 11.02.2023 |
| Implementing entity: | Institute of High Pressure Physics |
| Total funding granted: | 99 471.04 zł |
| Funding for the entity: | 99 471.04 zł |
| Funding institution: | National Science Center |