Title: Wpływ defektów na własności przyrządów elektronicznych na bazie GaN
Project leader: Michał Leszczyński
Laboratory: Laboratory of Semiconductor Characterization (NL-12)
Call/Programme name: polsko-chiński konkurs bilateralny
Project number: WPC1/DefeGaN/2019
Implementation date: 01.09.2020 31.07.2023
Implementing entity: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Implementation type: Projekt realizowany samodzielnie
Total funding granted: 1 980 000 zł
Funding for the entity: 1 980 000 zł
Funding institution: Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Project description

Półprzewodniki azotkowe AlGaInN są bazą dla wielu przyrządów elektronicznych. Rynek białych LEDów i laserów BluRay osiągnął wielkość kilkunastu miliardów Euro i szybko rośnie ze względu na nowe zastosowania: projektory laserowe, emitery LiFi, technologie kwantowe. Mimo sukcesów komercyjnych, półprzewodniki azotkowe posiadają duże gęstości defektów obniżających sprawności i czasy życia przyrządów. Jednak o wpływie defektów na te parametry niewiele wiadomo ze względu na fakt, iż większość przyrządów azotkowych jest konstruowana przy użyciu warstw na obcych podłożach. Tego rodzaju warstwy mają bardzo duże gęstości dyslokacji maskujących wpływ innych defektów. Celem pierwszej części Projektu jest zbadanie wpływu defektów na własności optyczne, elektryczne i dyfuzyjne struktur AlGaInN. Badania takie będą możliwe dzięki użyciu unikatowych próbek, w których gęstości defektów będą kontrolowane. Celem drugiej części Projektu będzie opracowanie nowych technologii czterech rodzajów przyrządów azotkowych (zielone lasery pionowe i poziome, niebieskie diody laserowe i struktury tranzystorowe) o zmniejszonej gęstości szkodliwych defektów.
Back to projects list