| Tytuł: | GaN dla zaawansowanych aplikacji w elektronice mocy |
| Kierownik projektu: | Michał Boćkowski |
| Laboratorium: | Laboratorium Krystalizacji (NL-3) |
| Numer projektu: | 101007310 |
| Data realizacji: | 01.06.2021 31.08.2025 |
| Podmiot realizujący: | Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk |
| Typ realizacji projektu: | "Projekt realizowany przez grupę podmiotów, między innymi: Distretto Tecnologico Sicilia Microe Nano Systemi Scarl (DTSMNS), Consorzio Nazionale Interuniversitario Per la Nanoelettronica (IUNET), Advantest Europe GMBH (AEG) i AIXTRON SE." |
| Przyznane środki ogółem: | 7 350 200 zł |
| Przyznane środki dla podmiotu: | 7 350 200 zł |
| Instytucja finansująca: | Komisja Europejska |
Opis projektu
| Urządzenia elektroniczne oparte o azotek galu (GaN) już dziś są szeroko stosowane. Wraz z rosnącym globalnym zapotrzebowaniem na urządzenie wysokiej mocy i częstotliwości rośnie również zapotrzebowanie na półprzewodniki oparte o GaN. Azotek galu umożliwia bowiem budowę urządzeń o większej wydajności, a także mniejszym rozmiarze. W projekcie planuje się opracowanie i zademonstrowanie: 1. innowacyjnych systemów energoelektronicznych do konwersji i zarządzania mocą z zaawansowaną architekturą i topologią obwodów opartych o najnowocześniejsze tranzystory GaN; 2. nowatorskich tranzystorów opartych o azotek skandowo-glinowy (AlScN); 3. inteligentnych i zintegrowanych elektronicznych rozwiązań opartych o GaN, zarówno w wariancji systemowej, jak i monolitycznej. |