Tematyka badawcza
Laboratorium Krystalizacji (NL-3) koncentruje się na wzroście objętościowych kryształów GaN oraz azotkowych stopów trójskładnikowych, takich jak AlGaN, a także innych związków o znaczeniu technologicznym. Badania ukierunkowane są na fundamentalne zrozumienie mechanizmów wzrostu kryształów oraz procesów z nim związanych, w tym kontrolowanego domieszkowania.
Badania wzrostu kryształów prowadzone są z wykorzystaniem dwóch głównych metod: Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE) oraz technologii wysokich ciśnień (High Pressure, HP). Systemy wysokociśnieniowe w laboratorium umożliwiają pracę w ekstremalnych warunkach, osiągając jednocześnie ciśnienia do 2 GPa i temperatury do 1450°C. Parametry te stwarzają unikatowe możliwości badania krystalizacji w niestandardowych warunkach termodynamicznych. W tym zakresie możliwe jest systematyczne analizowanie zmian struktury krystalicznej, powstawania defektów oraz wynikających z nich właściwości fizycznych. Ponadto laboratorium rozwija epitaksjalne struktury półprzewodnikowe dla zastosowań w optoelektronice i elektronice z wykorzystaniem metody Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE).
Działalność laboratorium obejmuje również kontrolowane domieszkowanie oraz zaawansowaną charakteryzację materiałów, w tym mikroskopię optyczną w zakresie światła widzialnego i ultrafioletowego, dyfrakcję rentgenowską, foto-trawienie oraz trawienie selektywne defektów. Uzupełniające techniki ujawniania defektów stosowane są do identyfikacji dyslokacji i elektrycznie aktywnych niejednorodności w kryształach GaN i SiC, a nanostruktury GaN wytworzone metodą foto-trawienia mogą dodatkowo pełnić funkcję efektywnych platform SERS do detekcji śladowych ilości związków chemicznych.
Prowadzone badania integrują inżynierię materiałową, fizykę i chemię, rozwijając naukowe zrozumienie procesów wzrostu kryształów istotnych dla nowoczesnych technologii półprzewodnikowych opartych na azotkach.
Członkowie zespołu
Adiunkt
Inżynier
Asystent
Technik
Adiunkt
Asystent
Asystent
Technik
Adiunkt
Technolog
Adiunkt
Asystent
Informatyk technolog
Inżynier-technolog
Inżynier
Adiunkt
Technik
prof. dr hab. Henryk Teisseyre
Adiunkt
Profesor instytutu
Technik
Asystent
Aktualności
01/06/2026
Obliczenia potwierdzają ograniczoną dyfuzję krzemu w GaN
25/05/2026
IWC PAN na 2. Fińsko-Polskim Sympozjum Technologii Półprzewodników Azotkowych w Helsinkach
05/05/2026
Szkoła letnia dla doktorantów i młodych doktorów SSIE 2026: Zapisy trwają!
29/04/2026
Dwa referaty zaproszone na konferencji International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026)
19/04/2026
IWC PAN współorganizuje sympozja A, E i J na E-MRS Fall Meeting 2026 - zapraszamy do nadsyłania abstraktów
Projekty realizowane
Tomasz Sochacki
Narodowe Centrum Badań i Rozwoju-
Styczeń 2024
Styczeń 2028
- Marcin Zając
- Narodowe Centrum Nauki
-
Styczeń 2021
Styczeń 2027
- Michał Boćkowski
- Narodowe Centrum Nauki
-
Styczeń 2024
Styczeń 2027
- Tomasz Sochacki
- Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
-
Styczeń 2024
Styczeń 2027
Projekty zakończone
- Tomasz Sochacki
- Narodowe Centrum Nauki
-
Czerwiec 2021
Czerwiec 2026
- Kacper Paweł Sierakowski
- Narodowe Centrum Nauki
-
Styczeń 2022
Styczeń 2026
- Adil Rehman
- Narodowe Centrum Nauki
-
Grudzień 2024
Grudzień 2025
- Michał Boćkowski
- Komisja Europejska
-
Czerwiec 2021
Sierpień 2025
- ECSEL JU
-
Czerwiec 2021
Sierpień 2025
- Jan Weyher
- Narodowe Centrum Nauki
-
Sierpień 2020
Sierpień 2025
- Michał Boćkowski
- Office of Naval Research
-
Wrzesień 2021
Wrzesień 2024
- Michał Boćkowski
- Narodowe Centrum Nauki
-
Wrzesień 2019
Grudzień 2022
- Michał Boćkowski
- Fundacja na rzecz Nauki Polskiej
-
Październik 2018
Czerwiec 2022
- Michał Boćkowski
- Narodowe Centrum Nauki
-
Styczeń 2018
Styczeń 2020
Aparatura
Charakteryzacja materiałów i przyrządów
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Charakteryzacja materiałów i przyrządów
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Charakteryzacja materiałów i przyrządów
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur