| Nazwa: | Reaktory HVPE |
| Osoba kontaktowa: | Dr inż. Tomasz Sochacki tsochacki@unipress.waw.pl |
| Laboratorium: | NL-3 |
| Lokalizacja: | ul. Sokołowska 29/37 Warszawa |
Możliwości badawcze i dane techniczne
Reaktor HVPE (Halide Vapor Phase Epitaxy) przeznaczony do krystalizacji objętościowego GaN – zarówno niedomieszkowanego, jak i domieszkowanego pierwiastkami Si, Ge, C, Mn oraz Fe – a także warstw AlGaN, z możliwością wzrostu na podłożach o średnicy do 2 cali.