Dwa referaty zaproszone na konferencji International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026)

Naukowcy z naszego Instytutu wygłoszą dwa referaty zaproszone na prestiżowej konferencji International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026), która odbędzie się w dniach 8–13 listopada 2026 r. w Kumamoto (Japonia).

Zaproszone wykłady wygłoszą:

• Prof. dr hab. inż. Michał Boćkowski - “From Bulk GaN to Quantum and Power Devices: Crystals, Epitaxy, and Extreme Processing”
• Dr hab. inż. Grzegorz Muzioł - “Efficient Wide InGaN Quantum Wells: From Physics to Technology”

Konferencja IWN należy do najważniejszych światowych wydarzeń naukowych poświęconych półprzewodnikom azotkowym, gromadząc czołowych badaczy oraz przedstawicieli przemysłu z całego świata.

Udział w konferencji IWN2026 to doskonała okazja do zaprezentowania wyników badań, nawiązania międzynarodowej współpracy oraz zapoznania się z najnowszymi osiągnięciami w dziedzinie technologii półprzewodników azotkowych.

Termin nadsyłania abstraktów to 14 czerwca 2026.