| Tytuł: | Nowatorska technologia wytwarzania podłoży nieprzewodzących azotku galu (GaN) - droga do podłoży typu p |
| Kierownik projektu: | Tomasz Sochacki |
| Laboratorium: | Laboratorium Krystalizacji (NL-3) |
| Nazwa konkursu, programu: | LIDER |
| Numer projektu: | LIDER14/0152/2023 |
| Data realizacji: | 01.01.2024 01.01.2027 |
| Podmiot realizujący: | Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk |
| Typ realizacji projektu: | Projekt realizowany samodzielnie |
| Przyznane środki ogółem: | 1 786 304 zł |
| Przyznane środki dla podmiotu: | 1 786 304 zł |
| Instytucja finansująca: | Narodowe Centrum Badań i Rozwoju |
Opis projektu
Obserwuje się rosnące zapotrzebowanie na monokrystaliczne podłoża azotku galu do zastosowań w przemyśle optoelektronicznym i elektronicznym. W tym drugim przypadku jest to związane z ogromnymi oczekiwaniami dotyczącymi transformacji energetycznej i budową przyrządów elektronicznych wysokich mocy i częstotliwości. Głównym celem projektu jest otrzymanie nieprzewodzącego, wysokooporowego podłoża azotku galu poprzez implantacje jonów, będących akceptorami, do przewodzącego półprzewodnika i objętościową dyfuzję implantowanych domieszek w procesie wygrzewania w warunkach wysokich temperatur i ciśnień azotu. Celem jest również otrzymanie podłoża typu-p (o przewodnictwie dziurowym). Proces wygrzewania umożliwia aktywację elektryczną zaimplantowanych domieszek oraz pełną rekonstrukcję zniszczonej (po procesie implantacji) struktury kryształu. Implantacji i wygrzewaniu zostaną poddane podłoża azotku galu o najwyższej w świecie jakości strukturalnej i różnych właściwościach elektrycznych, otrzymane z kryształów wyhodowanych metodami: amonotermalną i z fazy gazowej. Rezultaty projektu wychodzą naprzeciw potrzebom środowisk: naukowego i przemysłowego. Realizacja projektu otwiera możliwości modyfikacji właściwości elektrycznych podłoży, eliminując trudną i kosztowną procedurę domieszkowania, realizowaną na etapie procesu krystalizacji azotku galu.