Nanoporowaty GaN i kontrolowana relaksacja pseudopodłoży InGaN jako droga do żółtych diod laserowych

Celem projektu jest zbudowanie podstaw dla wytwarzania diod laserowych emitujących w żółtym zakresie spektralnym. Z uwagi na obiektywne bariery materiałowe - niedopasowanie sieci oraz niską jakość strukturalną i optyczną InGaN o wysokim składzie - proponowane są dwa kluczowe elementy - pseudopodłoża InGaN o większej stałej sieci oraz użycie technologii MBE do wytwarzania laserów emitujących światło żółte, w której uzyskanie wysokiego składu indu może być realizowane bez znaczącego obniżenia temperatury. Ideą proponowanego projektu jest wytworzenie pseudopodłoży InGaN, w których relaksacja w warstwie InGaN nastąpi w sposób elastyczny. Nasza propozycja ma potencjał wyróżnić się od innych rozwiązań, w których następuje relaksacja plastyczna i generacja dyslokacji niedopasowania i Vpitów. Ma to oczywiście kluczowe znaczenie dla wytwarzania wymagających przyrządów optoelektronicznych jakimi są diody laserowe. Ramowy plan działań przedstawiony został na rysunku poniżej (Rysunek 9). Prowadzone będą prace badawcze mające na celu zrozumienie procesu relaksacji warstw InGaN i wbudowywania indu w przypadku epitaksji na podłożach zawierających nanoporowate warstwy GaN (WP1). Równolegle chcemy zbadać możliwość koalescencji zrelaksowanych warstw InGaN w celu otrzymania planarnego pseudo-podłoża InGaN o zwiększonej stałej sieci (WP2). Finalnie, celem projektu będzie wytworzenie struktury diody laserowej na podłożu o zwiększonej stałej sieci (WP3).