Kierownik zespołu
Tematyka badawcza
Laboratorium Epitaksji MBE w Instytut Wysokich Ciśnień PAN specjalizuje się w wytwarzaniu zaawansowanych struktur azotkowych z wykorzystaniem technologii epitaksji z wiązek molekularnych wspomaganej plazmą azotową (PAMBE – ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy).
Nasze badania koncentrują się na rozwoju emiterów światła, takich jak diody elektroluminescencyjne (LED) oraz diody laserowe (LD), pracujące w szerokim zakresie widma – od ultrafioletu, przez światło niebieskie, zielone aż po żółte. Prace obejmują zarówno poprawę parametrów materiałowych wpływających na wydajność emisji i ograniczenie strat optycznych, jak i projektowanie innowacyjnych architektur przyrządów takich jak na przykład pionowo zintegrowane diody laserowe, diody LED z wnęką rezonansową do pompowania adresowalne matryce diod mikro LED, czy.
Szczególną specjalizacją laboratorium są struktury ze złączem tunelowym oraz warstwy silnie domieszkowane germanem i krzemem. Prowadzimy również teoretyczne modelowanie struktur kwantowych oraz optymalizację parametrów optycznych i elektrycznych przyrządów wytwarzanych na podłożach z azotku galu (GaN).
W celu modyfikacji właściwości struktur azotkowych stosujemy technikę trawienia elektrochemicznego (ECE), która umożliwia selektywne wprowadzanie porowatości do wybranych warstw. Metoda ta wspiera także badania nad mechanizmami wbudowywania domieszek w nanoskali.
Ponadto realizujemy prace nad monolityczną integracją nadprzewodników NbN z półprzewodnikową platformą GaN.
Kierownik zespołu
Członkowie zespołu
Technolog
Technolog
Asystent
Doktorant
student
Doktorant
Profesor instytutu
Doktorant
Doktorant
Laborant
Adiunkt
Adiunkt
Technolog
Technik
Technolog
Asystent
Aktualności
07/07/2026
Zaproszenie do udziału w konferencji 11th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers
03/07/2026
Zastosowanie powietrza jako warstwy okładkowej otwiera nowe perspektywy dla konstrukcji laserów o dłuższych falach: zielonych, żółtych, czerwonych
25/06/2026
Wiemy więcej o ruchu dyslokacji o dużych wektorach Burgersa w materiałach InGaN/GaN
25/05/2026
IWC PAN na 2. Fińsko-Polskim Sympozjum Technologii Półprzewodników Azotkowych w Helsinkach
30/04/2026
Zawód „naukowiec” i niezwykły kryształ GaN
29/04/2026
Dwa referaty zaproszone na konferencji International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026)
31/03/2026
Seminarium Instytutowe 23.04.2026 - prof. Grzegorz Karczewski
Projekty realizowane
Grzegorz Muzioł
Fundacja na rzecz Nauki Polskiej-
Sierpień 2024
Lipiec 2028
- Czesław Skierbiszewski
- Fundacja na rzecz Nauki Polskiej
-
Kwiecień 2025
Marzec 2028
- Czesław Skierbiszewski
- Komisja Europejska
-
Luty 2024
Styczeń 2028
- Grzegorz Muzioł
- Narodowe Centrum Nauki
-
Grudzień 2024
Grudzień 2027
- Czesław Skierbiszewski
- Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
-
Październik 2023
Wrzesień 2027
Nanoporowaty GaN i kontrolowana relaksacja pseudopodłoży InGaN jako droga do żółtych diod laserowych
- Marta Sawicka
- Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
-
Czerwiec 2024
Czerwiec 2027
- Czesław Skierbiszewski
- Narodowe Centrum Nauki
-
Styczeń 2023
Styczeń 2027
- Mikołaj Żak
- Narodowe Centrum Nauki
-
Styczeń 2024
Styczeń 2027
Projekty zakończone
- Marta Sawicka
- Narodowe Centrum Nauki
-
Październik 2020
Październik 2025
- Czesław Skierbiszewski
- Narodowe Centrum Nauki
-
Lipiec 2019
Lipiec 2024
- Grzegorz Muzioł
- Narodowe Centrum Nauki
-
Lipiec 2020
Lipiec 2024
- Mikołaj Chlipała
- Narodowe Centrum Nauki
-
Czerwiec 2020
Czerwiec 2024
- Marta Sawicka
- Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
-
Sierpień 2021
Kwiecień 2024
- Mateusz Hajdel
- Narodowe Centrum Nauki
-
Lipiec 2020
Lipiec 2023
- Czesław Skierbiszewski
- Fundacja na rzecz Nauki Polskiej
-
Styczeń 2017
Marzec 2022
- Grzegorz Muzioł
- Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
-
Styczeń 2019
Grudzień 2021
- Marta Sawicka
- Fundacja na rzecz Nauki Polskiej
-
Maj 2018
Listopad 2021
- Henryk Turski
- Fundacja na rzecz Nauki Polskiej
-
Październik 2018
Czerwiec 2021
- Henryk Turski
- Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
-
Kwiecień 2017
Marzec 2021
Aparatura
Charakteryzacja materiałów i przyrządów
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Reaktor do epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową VG90
Wytwarzanie materiałów i struktur
Dwukomorowy reaktor do epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową Veeco Gen20a