| Tytuł: | Pełny pionowo zintegrowany łańcuch technologiczny dla pionowej elektroniki GaN-on-GaN: od podłoża GaN do Inteligentnego Banku Energii |
| Kierownik projektu: | Izabella Grzegory |
| Laboratorium: | Laboratorium Fizyki Półprzewodników (NL-2) |
| Nazwa konkursu, programu: | TECHMATSTRATEG |
| Numer projektu: | TECHMATSTRATEG-III/0003/2019 |
| Data realizacji: | 01.01.2021 30.06.2025 |
| Podmiot realizujący: | Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk |
| Typ realizacji projektu: | Projekt realizowany przez grupę podmiotów, między innymi: Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki- Sieć badawcza Łukasiewicz i Inwebit. |
| Przyznane środki ogółem: | 19 614 701.58 zł |
| Przyznane środki dla podmiotu: | 6 877 500 zł |
| Instytucja finansująca: | Narodowe Centrum Badań i Rozwoju |
Opis projektu
| Celem projektu EnerGaN jest przygotowanie do wdrożenia elementów pionowo zintegrowanego łańcucha technologii pozwalającego na podjęcie w Polsce produkcji energooszczędnych Inteligentnych Banków Energii (IBE) opartych o systemy kontroli przepływu energii z konwerterami mocy o dużej sprawności energetycznej, wysokim wskaźniku gęstości energii oraz małych gabarytach, wyposażone w sztuczną inteligencję pozwalającą na podejmowanie decyzji o naładowaniu/rozładowaniu w sposób autonomiczny. Do budowy IBE zostanie opracowana i wdrożona technologia tranzystorów wertykalnych oparta na azotku galu. Ze względu na swoje znakomite charakterystyki fizyczne, GaN jest optymalnym półprzewodnikiem do budowy tranzystorów dużej mocy i wysokich częstotliwości niezbędnych w układach dystrybucji i przesyłania energii. Układy bazujące na wertykalnych tranzystorach GaN, w stosunku do rozwiązań opartych o krzem, będą energooszczędne, niezawodne i zminiaturyzowane. Konsorcjum EnerGaN posiada wszystkie elementy niezbędne do stworzenia wertykalnie zintegrowanej technologii tranzystorów opartych o GaN i inteligentnych układów sterowania bankami energii: 1 kryształy podłożowe GaN – najwyższy poziom światowy pod względem jakości - niezbędne w przyrządach dużej mocy – produkcja w skali pilotażowej –IWC PAN 2 epitaksjalne struktury warstwowe – state-of-the-art, skala laboratoryjna –IWC PAN 3 processing przyrządów półprzewodnikowych – state-of-the-art, skala laboratoryjna – Sieć Łukasiewicz -ITE 4 układy sterowania dla elektroenergetyki – state-of-the-art, skala przemysłowa –DACPOL Sp. z o.o. 5 algorytmy i oprogramowanie dla systemów sztucznej inteligencji - state-of-the-art- Inwebit Sp. z o. Niektóre elementy jak np. kryształy podłożowe GaN, czy poimplantacyjny processing wysokociśnieniowy struktur tranzystorowych stanowią przewagi konkurencyjne w skali globalnej. Grupy docelowe dla IBE: klastry energii, lokalne mikrosieci, dla podłoży GaN: producenci przyrządów elektronicznych i optoelektronicznych. |